三個端子，發射極（Emitter），基極（Base），集電極(Collector)。兩種基本結構：NPN型和PNP型。

雙極型晶體管是一種流控器件，電子和空穴同時參與導電。發射區摻雜濃度最高，基區次之，集電區最小（但和金屬電極接觸處的一小區域半導體高摻雜，是為了避免形成勢壘）；基區很薄，可以看成是由兩個背靠背的PN結構成。

以NPN型BJT為例：

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雙極型晶體管正常工作時分為四個工作區域：正向放大區、飽和區、反向工作區和截至區。通過在雙極型晶體管的三個電極施加不同的電壓，可以控制其工作在不同的工作區域。

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當發射結正偏()，集電結反偏()時，此時晶體管工作在正向放大區。

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發射結加正偏壓，pn結勢壘降低，有利于多數載流子（電子）從發射區流向基區，形成發射電流；

給集電結加上較大的反偏電壓，勢壘增大，p區的電子更容易流向n區，但n區的電子卻更難流向p區（在B-C結邊界，理想少子電子濃度為零，大的電子濃度梯度表明從從發射區注入的電子會越過基區擴散到B-C結的空間電荷區中，那里的電場會把電子掃到集電區中），這樣才能保證發射區注入到基區并擴散到集電結邊緣的載流子，被集電極收集形成集電結電流。

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?基區必須窄的原因：我們希望盡可能多的到達集電區而不與基區中的多子空穴復合，因此，同擴散長度相比，基區寬度必須很小。若基區寬度很小，那么基區少子電子的濃度是B-E結電壓和B-C結電壓的函數。這兩個結距離很近，稱為互作用pn結。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的双极型晶体管（BJT）学习总结的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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