材料科学基础学习指导-吕宇鹏-名词和术语解释-第二章晶体缺陷
1.1點缺陷： 點缺陷是最簡單的晶體缺陷，它是在結點上或鄰近的微觀區域內偏離晶體結構正常排列的一種缺陷。其特征是在三維空間的各個方向上尺寸都很小，尺寸范圍約為一個或幾個原子尺寸，故稱零維缺陷，包括空位、間隙原子、雜質或溶質原子等。
1.2線缺陷：?其特征是在兩個方向上尺寸很小，另外一個方向上延伸較長，也稱一維缺陷，如各類位錯。
1.3面缺陷：?其特征是在一個方向尺寸上很小，另外兩個方向上擴展很大，也稱二維缺陷，晶界、相界、孿晶界和堆垛層錯都屬于面缺陷。
2.1空位： 一個原子具有足夠大的振動能而使振幅增大到一定限度時，就可能克服周圍原子對它的制約作用，跳離其原來的位置，使點陣中形成空結點。
2.2間隙原子： 從空位中跳離，擠入點陣的空隙位置的原子。
2.3 肖脫基缺陷： (肖脫基空位)即晶體結構中的一種因原子或離子離開原來所在的格點位置進入到其他空位、晶界或表面而形成的空位式的點缺陷。
2.4弗蘭克爾缺陷： 離位原子進入到晶體間隙中而形成的點缺陷。
3.1刃型位錯： 一種位錯在晶體中有一個刀刃狀的多余半原子面的位錯形式。
3.2螺型位錯： 一個晶體的某一部分相對于其余部分發生滑移，原子平面沿著一根軸線盤旋上升，每繞軸線一周，原子面上升一個晶面間距。在中央軸線處即為一螺型位錯。
3.3混合位錯：?滑移矢量既不平行也不垂直于位錯線，而與位錯線相交成任意角度的位錯。
3.4位錯線：晶體或晶格內滑移面上已滑動區的邊界線稱位錯線或位錯環。
3.5柏氏矢量： 通常將形成一個位錯的晶體的相移矢量定義為該位錯的柏氏矢量，用b表示。
3.6位錯密度：單位體積晶體中所含的位錯線的總長度。
4.1滑移： 在外加應力作用下，通過位錯中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不斷地作少量的位移的過程。
4.2攀移： 刃型位錯在垂直于滑移面的方向上運動，把多余半原子面向上或向下運動的過程。
4.3交滑移：當某一螺型位錯在原滑移面上受阻時，從滑移面轉移到與之相交的另一滑移面上的過程叫做交滑移。
4.4交割：一個位錯在某一滑移面上運動時，會與穿過滑移面的其他位錯發生相互作用的過程。
4.5塞積（未找到）--- >?位錯塞積： 位錯運動遇到障礙（晶界、第二相粒子以及不動位錯等），如果其向前運動的力不能克服障礙物的力，位錯就會停在障礙物面前，由同一個位錯源放出的其他位錯也會被阻在障礙物前，這種現象稱為位錯塞積。
5.1位錯的應力場： 位錯周圍的原子都不同程度的偏離了其原來的平衡位置而處于彈性形變狀態，這就引起能量升高并產生內應力，若把這些原子所受的應力合起來，便可形成一個以位錯線為中心的應力場。
5.2位錯應變能： 晶體中位錯的存在引起點陣畸變，導致能量升高，此增量稱為位錯的應變能。（課本的問題是應變能）
5.3位錯線張力： 由于位錯具有應變能，所以位錯線有盡量縮短長度或自動變直的趨勢，這表明存在一個沿著位錯線作用的力，此力即位錯的線張力。（課本的問題是線張力）
5.4作用在位錯線上的力： 晶體中的位錯在外加應力或其他內應力的作用下將會發生運動或者有運動的趨勢，為了描述位錯的運動，我們假定在位錯線上作用了一個力F，這個假想的力就叫做作用在位錯線上的力。
6.1位錯源： 位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。
6.2位錯的增殖：?晶體在受力過程中，位錯發生運動，位錯數目增加，位錯密度變大的過程。
7.1單位位錯： 也稱特征位錯，就是指它的柏氏矢量等于晶體中最短的點陣矢量的位錯。
7.2不全位錯： 柏氏矢量不等于點陣矢量的不全位錯。
7.3堆垛層錯： 堆垛層錯是層狀結構晶格中常見的一種面缺陷，即晶體結構層正常的周期性重復堆垛順序在某二層間出現了錯誤。
7.4肖克萊位錯：?面心立方晶體中A層的一部分滑移至B層原子的位置，其上部的各層也跟著移動，但滑移只限于一部分，在兩者的交界處發生了原子的嚴重錯排，層錯與完整晶體的邊界就是肖克萊位錯。
7.5弗蘭克位錯：?在晶體中抽去B層原子的右邊一部分而讓其上面的C層垂直落下來，由于B層的右邊部分抽去而左邊部分沒有抽去，靠近層錯的邊沿位置的原子畸變大，但遠離邊沿的原子由于垂直落下，故原子排列雖發生層錯，但仍處于密排位置，并不發生畸變。這些畸變處的原子即組成不全位錯。
8.1擴展位錯： 通常把一個全位錯分解為兩個不全位錯，中間夾著一個堆垛層錯的整個位錯組稱為擴展位錯。
8.2固定位錯： 固定位錯一般是指那些被“鎖住”的位錯，它們有可能是兩個位錯相互作用形成,也有可能是和界面相互作用形成的。
8.3可動位錯： 一個全位錯分解為兩個或多個不全位錯，其間以層錯帶相聯，這個過程稱為位錯的擴展，形成的缺陷體系稱為可動位錯。
8.4位錯反應：由幾個位錯合成一個新位錯或者由一個位錯分解成幾個新位錯的過程稱為位錯反應。
9.1晶界： 屬于同一固相但位向不同的晶粒之間的界面稱為晶界。
9.2相界： 具有不同結構的兩相之間的分界面稱為相界。按結構特點，相界面可分為共格相界、半共格相界和非共格相界三種類型。
9.3界面能：界面上的原子處在斷鍵狀態，具有超額能量。平均在界面單位面積上的超額能量叫界面能。
9.4大角度晶界： 相鄰晶粒的位向差大于10°的晶界。
9.5小角度晶界： 相鄰晶粒的位向差小于10°的晶界。
9.6孿晶界： 兩個晶體沿一個公共晶面構成晶面對稱的位向關系，這兩個晶體的公共晶面就稱為孿晶面。
總結
以上是生活随笔為你收集整理的材料科学基础学习指导-吕宇鹏-名词和术语解释-第二章晶体缺陷的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
- 上一篇： svn+teamcity+YouTrac
- 下一篇： KaggleM5 Forecasting