在40nm SMIC工藝下，根據手冊總結單端SRAM的布局布線問題。

• ArtiGrid power structure options：以下圖為例，memory的電源布線，無論是core核還是外圍periphery，都是在M4層展開，在整個SRAM宏模塊中，M4以下是不允許布線的，因為在這個區域已經被SRAM完全占用，M4是SRAM的最高層；因此在整體芯片的電源網絡布線中，要明確高于M4層，即M5或者更高，但是在手冊中的圖片表示，M5層就可以。（這些都可以在SRAM手冊中查到）
  
• Implementation instance and standard cell orientation：原文這樣寫道，In their default orientations, the poly and metal layer directions in the compiler instances are opposite that of the ARM standard cell libraries. It is suggested that the compiler instances be rotated by 90 degrees to match the metal directions of the standard cell library during implementation. You should take special care, to verify that the placement position of the rotated instances results in proper alignment of instance signal and supply pins with design-routing grids.按照我的理解是，SRAM宏模塊需要旋轉90°，具體的原因可能是與40nm標準單元庫所規定的相反，但是在實際中這并不會帶來問題。
  這是最初為布局時，SRAM的方向如下：
  
  當我們把小塊旋轉，大塊不旋轉，經過電源綜合后的如下：綠色的橫線為SRAM模塊M4層的電源線VDD VSS，在未旋轉的SRAM塊中，也會出現M4層的電源線，VDD VSS
  
  
• Maximum transition time：20%時鐘周期的經驗法則。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的数字芯片后端设计——SRAM宏模块布局布线的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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