上一篇文章（芯片級(jí)解密YMTC NAND Xtacking 3.0技術(shù)），我們結(jié)合TechInsights獲取芯片級(jí)信息梳理了國(guó)產(chǎn)NAND芯片廠(chǎng)商YMTC的技術(shù)演進(jìn)之路，從2016公司成立，2018年發(fā)布Xtacking 1.0 NAND架構(gòu)，2019年發(fā)布Xtacking 2.0 NAND架構(gòu)，2022年發(fā)布Xtacking 3.0 NAND架構(gòu)，創(chuàng)新速度令人振奮，實(shí)乃國(guó)產(chǎn)芯之光。

結(jié)合上篇內(nèi)容的分析，因?yàn)?strong>從市場(chǎng)和官方信息獲悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)的消費(fèi)級(jí)PCIe 4.0 SSD固態(tài)硬盤(pán)TiPlus 7100使用的Xtacking 3.0架構(gòu)的產(chǎn)品，基于TLC NAND，PCIe Gen4x4，采用DRAM-less無(wú)緩存架構(gòu)。NAND接口速率達(dá)到2400 MT/s，與上一代相比速度提高50%，支持HMB機(jī)制和SLC緩存。

TechInsights為了分析Xtacking 3.0的技術(shù)，針對(duì)TiPlus 7100進(jìn)行的全面的分析，最終發(fā)現(xiàn)NAND是YMTC CDT2A芯片128L，并非期望的232L NAND。這著實(shí)讓大家失望了一把。其實(shí)這個(gè)128L，在YMTC的角度也是Xtacking 3.0，NAND接口速率從1600MT/s提升到了2400MT/s，屬于Xtacking 2.0和Xtacking 3.0的融合過(guò)渡版本，從外界的角度稱(chēng)作Xtacking 2.5更為合適。

不過(guò)，這并沒(méi)有影響TechInsights探尋Xtacking 3.0 232L NAND的熱情。念念不忘，必有回響。近日，TechInsights透露，目前已經(jīng)在海康威視新上市的CC700中，找到了Xtacking 3.0 232L NAND的蹤跡。

拆解CC700 2TB SSD, 發(fā)現(xiàn)PCB上間隔貼了2個(gè)1TB NAND顆粒，這款盤(pán)依然采用的是聯(lián)蕓的主控芯片，DRAM-Less無(wú)緩存的架構(gòu)。TBW寫(xiě)入壽命達(dá)到3600TB。

與之前TiPlus 7100 128L CDT2A NAND芯片一致，NAND Die采用132-pin BGA MCP封裝，尺寸大小18.0 mm× 12.0 mm × 0.9 mm。

每個(gè)1TB NAND Die Package封裝了8個(gè)NAND Die。

NAND芯片的型號(hào)為EET1A，終于看到了2x3的 6 Planes架構(gòu)。

根據(jù)2022年FMS上的介紹，基于Xtacking 3.0架構(gòu)的NAND芯片X3-9070，采用了2x3的6 Planes架構(gòu)。每個(gè)Plane在中央位置具有獨(dú)立的X-DEC解碼器，可以實(shí)現(xiàn)multi-plane獨(dú)立異步操作，使得Xtacking 3.0的IO速率提升50%。與edge X-DEC相比，Center X-DEC設(shè)計(jì)將WL電容減少了一半，并降低了RC負(fù)載和RC延遲(tRC), 最終性能相較edge X-DEC得到15~20%的提升。

Xtacking 3.0采用了存儲(chǔ)單元晶圓的背面源連接(BSSC，back side source connect), 好處是對(duì)工藝進(jìn)行了簡(jiǎn)化，最終得到了降低成本的優(yōu)勢(shì)。下圖即是基于Xtacking 3.0架構(gòu)實(shí)現(xiàn)的232L NAND，至此，真正的Xtacking 3.0架構(gòu)終于現(xiàn)身。

從Xtacking 2.0 128L Die CDT1B芯片，到Xtacking 2.5 128L Die CDT2A芯片，再到Xtacking 3.0 232L Die EET1A芯片，Die面積逐漸增加，存儲(chǔ)密度接近翻了一倍。

2022年7月份，Micron對(duì)外正式宣布開(kāi)始量產(chǎn)232L 3D TLC NAND，讀寫(xiě)性能都得到大幅提升，采用的是雙堆棧技術(shù)。

在Micron宣布232層之后，海力士Sk Hynix也接著發(fā)布了238層 512Gb TLC 4D NAND。海力士這個(gè)4D NAND叫法，噱頭大于實(shí)際意義，實(shí)際也是3D-NAND的變形，類(lèi)似CuA架構(gòu)，就是把電路單元放在存儲(chǔ)單元之下(Peri Under Cell, PUC)而已. 預(yù)計(jì)在2023上半年開(kāi)始量產(chǎn)。

三星在2021年中已開(kāi)始打樣第8代V-NAND 200L，目前市場(chǎng)上看到的最新消息是三星已在2022年下半年正式量產(chǎn)1Tb TLC V8-NAND。三星方面并未透露V8 NAND的具體層數(shù)，不過(guò)宣稱(chēng)具有超過(guò)200L的技術(shù)能力。三星預(yù)計(jì)2024開(kāi)始量產(chǎn)V9 NAND，更有噱頭的是，三星還計(jì)劃在2030開(kāi)發(fā)超過(guò)1000層的V-NAND，希望三星早日吃上“千層餅”。

與Micron/Hynix/Samsung的超過(guò)200L的NAND對(duì)比，雖然YMTC目前232L主要應(yīng)用在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品，整體來(lái)看，YMTC已基本進(jìn)入全球NAND廠(chǎng)商第一技術(shù)陣營(yíng)。希望再接再厲，更創(chuàng)輝煌！

參考來(lái)源：Techinsights官網(wǎng)和YMTC官網(wǎng)

精彩推薦:

• Backblaze 2022 Q3 硬盤(pán)故障質(zhì)量報(bào)告解讀

• 漫談云數(shù)據(jù)中心的前世今生

• 多維度深入剖析QLC SSD硬件延遲的來(lái)源

• 漫談固態(tài)硬盤(pán)SSD全生命周期的質(zhì)量管理

• 如何快速debug定位SSD延遲問(wèn)題？

• 汽車(chē)存儲(chǔ)SSD面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇

• 超大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)的訴求有哪些？

• SSD寫(xiě)放大的優(yōu)化策略要統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)了嗎？

• 阿里云Optane+QLC存儲(chǔ)實(shí)踐案例分享

• “后Optane時(shí)代”的替代存儲(chǔ)方案有哪些？

• 淺析數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)發(fā)展趨勢(shì)

• 淺析PCIe鏈路LTSSM狀態(tài)機(jī)

• 淺析Relaxed Ordering對(duì)PCIe系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響

• 實(shí)戰(zhàn)篇｜淺析MPS對(duì)PCIe系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響

• 淺析PCI配置空間

• 淺析PCIe系統(tǒng)性能

• PLC SSD雖來(lái)但遠(yuǎn)，QLC SSD火力全開(kāi)

• Backblaze2022中期SSD故障質(zhì)量報(bào)告解讀

• 最全電腦固態(tài)硬盤(pán)SSD入門(mén)級(jí)白皮書(shū)

• 存儲(chǔ)隨筆《NVMe專(zhuān)題》大合集及PDF版正式發(fā)布！

• 加權(quán)循環(huán)仲裁WRR特性對(duì)NVME SSD性能有什么影響？

• Linux NVMe Driver學(xué)習(xí)筆記之9: nvme_reset_work壓軸大戲

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的YMTC X3 NAND 232L 终露真容,全球领先｜国产芯之光的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

如果覺(jué)得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。