導語：最為書本前面的章節，應該起到承上啟下的作用，即讓同學們回顧之前學到的知識，并了解將要學習的內容會用到哪些曾經學過的知識。從作用上來講，應該更有利于同學們學習本書，但是從過來人的親身體會來看，仍然有不少同學會在這一章卡殼，停滯不前。究其原因，無非是之前的相關課程沒學好，比如說半導體物理，半導體器件物理，數字集成電路設計等等。再細一點看的話，應該是學得不夠細致，當然，這跟老師的講課風格有關，有些老師講課以為學生都懂，有些需要展開來講的知識點反而被一點帶過了……。不管什么原因，現在開始學還來得及，這里特意將一些重要公式進行推導，目的在于讓同學們閱讀課本時更加流暢。

• 首先講第二章的2.2節：
  **公式一：**閾值電壓
  
  《模集》課本上直接“由pn結理論可知…”，而要找到關于公式中這一項的完整來源，需要查看《半導體物理學》（第七版）的第160頁、第173頁和第175頁。
  
  

要結合這三處的知識點才能推出耗盡區電荷Q dep的表達式。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的关于模拟CMOS集成电路第二章MOS器件物理基础中的公式推导的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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