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8 月 10 日消息，SK 海力士今日發布公告，旗下最新的 LPDDR5T 內存已在聯發科的下一代移動平臺（預計為天璣 9300）進行了驗證。

SK 海力士稱，聯發科的下一代旗艦移動芯片組將于年內發布，LPDDR5T 內存速度高達 9.6Gbps，比上一代海力士 LPDDR5X 快 13%。

據此前報道，SK 海力士在今年 1 月份宣布成功開發出全球當前速度最快的移動 DRAM LPDDR5T。

SK 海力士在本次產品中也采用了“HKMG（High-K Metal Gate）” 工藝，預計在下一代 LPDDR6 問世之前，大幅拉開技術差距的 LPDDR5T 將主導該市場。

博主 @數碼閑聊站 此前爆料稱，天璣 9300 目前的技術規格為 4*X4（1*X4+3*X4m）+ 4*A720，GPU 為 Immortalis G720。其中 1 顆 CPU 是常規 X4，其他三顆為 X4m，預計是頻率更低一些。CPU 頻率暫定 X4 超大核最低為 3.0GHz，A720 大核最低為 2.0GHz，最終會根據驍龍 8 Gen 3 落地頻率調整。

目前來看，天璣 9300 將采用全大核設計，直接以超大核 + 大核方案來設計芯片架構。而且根據 Arm 公布的信息來看，基于 Armv9 的 Cortex-X4 超大核相比 X3 性能提升 15%，基于相同工藝的全新高能效微架構可實現功耗降低 40%。

下面是百科小知識

LPDDR（低功耗雙倍數據速率）：是用于智能手機和平板電腦等移動端產品的 DRAM 規格，因以耗電量最小化為目的，具有低電壓運行特征。規格名稱附有“LP（Low Power，低功耗）”，最新規格為第七代 LPDDR（5X），按 1-2-3-4-4X-5-5X 的順序開發而成。LPDDR5T 是 SK 海力士業界首次開發的產品，是第八代 LPDDR6 正式問世之前，將第七代 LPDDR（5X）性能進一步升級的產品。

HKMG（High-K Metal Gate）：在 DRAM 晶體管內的絕緣膜上采用高 K 柵電介質，在防止漏電的同時還可改善電容（Capacitance）的新一代工藝。不僅可以提高內存速度，還可降低功耗。SK 海力士去年 11 月在移動 DRAM 上全球首次采用了 HKMG 工藝。

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總結

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