1 月 10 日消息，三星近日透露正積極研發(fā)一種新型內(nèi)存，名為 LLW DRAM，意為低延遲寬 I / O (Low Latency Wide I / O) DRAM。據(jù)稱，這種內(nèi)存將帶來超高帶寬、低延遲和超低功耗的完美結(jié)合。三星表示，LLW DRAM 特別適用于需要在設(shè)備上運行大型語言模型（LLM）的設(shè)備，但其廣泛的性能優(yōu)勢也適用于各種客戶端工作負載。

LLW DRAM 是一種低功耗內(nèi)存，擁有寬 I / O、低延遲特性，并擁有高達 128 GB/s 的帶寬（據(jù)推測是每個模塊或堆棧）。相比之下，一個 128 位 DDR5-8000 內(nèi)存子系統(tǒng)可以提供類似的 128 GB/s 帶寬。同時，LLW DRAM 的另一個重要特性是其 1.2pJ / bit 的超低功耗，但三星并未透露其 LLW DRAM 在達到該功耗時的具體數(shù)據(jù)傳輸速率。

目前，三星并沒有透露太多關(guān)于 LLW DRAM 的細節(jié)，但該公司此前一直致力于探索寬接口內(nèi)存技術(shù)（例如 GDDR6W）。外界推測，LLW DRAM 可能借鑒了 GDDR6W 的技術(shù)，使用 Fan-Out 晶圓級封裝 (FOWLP) 技術(shù)將多個 DRAM 器件集成到一個封裝中，以擴展接口并兼顧容量、性能和低功耗。

考慮到三星于 2022 年第二季度將 GDDR6W 標準化，并計劃將其用于人工智能、高性能計算加速器和客戶端 PC，LLW DRAM 可能定位于其他領(lǐng)域。考慮到該標準的低功耗特性，可以將其應(yīng)用于具有 AI 功能的邊緣計算設(shè)備、智能手機、筆記本電腦，甚至汽車領(lǐng)域。

注意到，三星很少透露其新技術(shù)何時上市，但從其公開該技術(shù)的預(yù)期性能來看，其研發(fā)進程應(yīng)該已經(jīng)接近尾聲。

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總結(jié)

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