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1 月 16 日消息，根據韓媒《首爾經濟日報》報道，SK 海力士計劃在 2024 年之前，完成對無錫 C2 工廠的改造，轉換升級為第四代（1a）D-ram 工藝，該工藝達到 10nm 級別。

注：無錫工廠是該公司的核心生產基地，約占 SK hynix D-RAM 總產量的 40%。該廠目前生產 10 納米后期級別的第二代（1y）和第三代（1z）D-RAM，屬于舊（傳統）產品線。

消息稱 SK 海力士會在無錫工廠完成第四代 D-RAM 的部分工藝，然后把晶圓運到韓國總部利川園區內，使用 EUV 加工之后再返回送到無錫工廠。

由于第四代產品只有一個 D-RAM 層需要采用 EUV 工藝，該公司顯然認為成本增加是值得的。

在 2013 年無錫工廠大火期間，該公司克服了 D-RAM 生產中斷的困難，因此在這種方法上也積累了豐富的經驗。

關于無錫工廠的工藝轉型，SK 海力士表示無法確認該公司具體的工廠運營計劃。

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總結

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