三星发布其首款 36GB HBM3E 12H DRAM:12 层堆叠,容量再突破
2 月 27 日消息,三星電子今日官宣發布其首款 12 層堆疊 HBM3E DRAM —— HBM3E 12H,這是三星目前為止容量最大的 HBM 產品。
三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達 1280GB/s,產品容量也達到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H,HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過 50%。
“當前行業的人工智能服務供應商越來越需要更高容量的 HBM,而我們的新產品 HBM3E 12H 正是為了滿足這種需求而設計的,” 三星電子存儲器產品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 表示,“這一新的存儲解決方案是我們研發多層堆疊 HBM 核心技術以及在人工智能時代為高容量 HBM 市場提供技術領導力而努力的一部分。”
據介紹,HBM3E 12H 采用了熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術,使得 12 層和 8 層堆疊產品的高度保持一致,以滿足當前 HBM 封裝的要求。因為行業正在尋找緩解薄片帶來的芯片彎曲問題,這項技術將在更高的堆疊中帶來更多益處。三星一直在努力降低其非導電薄膜(NCF)材料的厚度,并實現芯片之間的間隙最小化至 7 微米(μm),同時消除了層與層之間的空隙。這些努力使其 HBM3E 12H 產品的垂直密度比其 HBM3 8H 產品提高了 20% 以上。
三星的熱壓非導電薄膜(TC NCF)技術還通過允許在芯片之間使用不同尺寸的凸塊(bump)改善 HBM 的熱性能。在芯片鍵合(chip bonding)過程中,較小凸塊用于信號傳輸區域,而較大凸塊則放置在需要散熱的區域。這種方法有助于提高產品的良率。
三星電子表示,相比 HBM3 8H,HBM3E 12H 搭載于人工智能應用后,預計人工智能訓練平均速度可提升 34%,同時推理服務用戶數量也可增加超過 11.5 倍。
從官方新聞稿獲悉,三星已開始向客戶提供 HBM3E 12H 樣品,預計于今年下半年開始大規模量產。
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總結
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