AMD CTO 暗示 MI300 加速器支持 HBM3E 内存,改版型号有望带来
2 月 27 日消息,在近日的 Arete 投資者網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)電話會(huì)議上,AMD 首席技術(shù)官 Mark Papermaster 暗示 MI300 加速可支持 HBM3E 內(nèi)存。
整理 Mark Papermaster 相關(guān)發(fā)言如下:
因此,我們?yōu)槲磥順?gòu)建了架構(gòu):我們現(xiàn)在支持 8 層堆疊的 HBM,我們也為 12 層堆疊的 HBM 作了設(shè)計(jì);我們推出的 MI300 搭載 HBM3 內(nèi)存,我們也針對(duì) HBM3E 進(jìn)行了架構(gòu)設(shè)計(jì)。
所以我們了解內(nèi)存:我們擁有良好的關(guān)系,也擁有架構(gòu)方面的專業(yè)知識(shí),能夠真正掌握所需的能力。
在交付和供應(yīng)鏈方面,我們不僅與存儲(chǔ)器供應(yīng)商,還與臺(tái)積電和其他基板供應(yīng)商以及 OSAT 社區(qū)有著深厚的合作歷史。
根據(jù)外媒 Tom's Hardware 掌握到的信息,AMD 在 Instinct MI300X 加速器上采用了單顆粒 24GB(12 層堆疊、單層 16Gb)的 HBM3 內(nèi)存,而在 Instinct MI300A 數(shù)據(jù)中心 APU 上采用了單顆粒 16GB(8 層堆疊、單層 16Gb)的 HBM3 內(nèi)存。Instinct MI300 系列均采用 8 個(gè) HBM 堆棧,分別在 MI300X 和 MI300A 上實(shí)現(xiàn) 192/128GB 的總內(nèi)存容量。
相較于 HBM3 內(nèi)存,HBM3e 內(nèi)存在速度上進(jìn)一步提升:以 SK 海力士產(chǎn)品為例,其 HBM3 引腳傳輸速率達(dá) 6.4Gbps,而 HBM3e 在這一參數(shù)上提升至 9.2Gbps。同時(shí)換用 HBM3E 也可提升總內(nèi)存大小:三星、海力士均推出了單顆 36GB 容量的 HBM3E 內(nèi)存。
近日消息人士 @Kepler_L2 透露,AMD 將推出換用 HBM3e 的 MI300 改版,以低價(jià)與競(jìng)品英偉達(dá) B100 競(jìng)爭(zhēng),Mark Papermaster 的發(fā)言從側(cè)面為傳言增添了真實(shí)性。
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總結(jié)
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