光刻機又名掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。

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要知道光刻機制造的難度，就得知道光刻機的幾個關鍵部件：

光源：必須穩定、高質量地提供指定波長的光束

能量控制器：就是電源。電源要穩定、功率要足夠大，否則光源發生器沒辦法穩定工作。大、穩、同時要考慮經濟性能。耗電太高，客戶就用不起。

掩膜版：通俗點理解，相當于過去用膠片沖洗照片時的底片。底片如果精度不夠，是洗不出來高精度照片的。光刻機施工前，要根據設計好的芯片電路圖制作掩膜板。掩膜板材質是石英玻璃，玻璃上有金屬鉻和感光膠。通過激光在金屬鉻上繪制電路圖。精度要求非常高。

透鏡：用透鏡的光學原理，將掩膜版上的電路圖按比例縮小，再用光源映射的硅片上。光在多次投射中會產生光學誤差。要控制這個誤差。精度要求很高。

就是測量臺移動的控制器，也是納米級精度，要求超高。

荷蘭的ASML公司壟斷了高端光刻機。但其透鏡來自德國的蔡司，自己也做不了。光源是美國的Cymer。所以說它也不是完全技術獨立。主要是技術難度太大。

資金上的困難

光刻機由于技術難度大，研發資金投入巨大，以至于佳能和索尼都虧損嚴重，已經停止研發，退出未來技術的競爭。荷蘭的ASML，為了籌集資金，同時也是進行上下游利益捆綁，研發風險共擔，邀請英特爾、三星和臺積電出資，做自己的大股東。ASML實際上是美、日、韓、德等共同投資的項目，資金充裕。

中國也在此方面有長期投入，但投入水平和不能和多國合作同日而語。中國有相對寬裕的研發資金，也才是最近7、8年的事情，而光刻機的研發，10年都顯然不夠。

我們能不能也參與到荷蘭的ASML的研發中呢？是不行的。因為發達國家之間，由美國牽頭，搞了個《瓦森納協定》，專門對中國進行技術禁運，技術封鎖的。我們也買不到荷蘭的ASML最新的光刻機，更別說參股和技術合作了。

目前我們還在追趕，量產的是上海微電子的90納米的，離ASML的10 納米的差距很大。下一步，隨著長春光機所的極紫外光技術的突破，有望沖擊22-32納米的技術。那時荷蘭可能進入7納米時代。雖然和7納米還有很大差距，但如果能實現，進步也是驚人的。如果能做出量產型，就是世界第二的水平了。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的高端光刻机为什么那么难制造？的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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