開關(guān)電源EMI 整改中，關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法：

1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X 電容量；
2.添加差模電感；
3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可
選用較大些)。

1MHZ—5MHZ—差模共模混合，采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，
1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感
量;
2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制；
3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107 一對(duì)普
通整流二極管1N4007。

5M—以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會(huì)對(duì)10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

對(duì)于20–30MHZ，
1.對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2 電容量或改變Y2 電容位置；
2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值；
3.在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞
組的排布。
4.改變PCB LAYOUT；
5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。
9. 可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻.

30—50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起，
1.可以用增大MOS 驅(qū)動(dòng)電阻；
2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管；
3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決；
4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE；
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
8.PCB 心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可
能的小；
9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50—100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，
1.可以在整流管上串磁珠；
2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE
或串接適當(dāng)?shù)碾娮?#xff1b;
4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾
卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.
200MHZ 以上開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI 標(biāo)準(zhǔn)。

補(bǔ)充說(shuō)明:
開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.
開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB 的元器件布局對(duì)EMI.,請(qǐng)密切注意此點(diǎn).
開關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對(duì)輻射有很大的影響.請(qǐng)密切注意
此點(diǎn).
主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對(duì)EMC 有一
定的影響.請(qǐng)密切注意此點(diǎn).

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的EMI整改经验小结的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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