SRAM :

靜態(tài)RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內(nèi)部的cache，都是靜態(tài)RAM，缺點是一個內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多，因而價格昂貴，容量不大。

什么是SRAM
SRAM?的英文全稱是'Static?RAM'，翻譯成中文就是'靜態(tài)隨機(jī)存儲器'。SRAM主要用于制造Cache。

SRAM，靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。?

SRAM是Static?Random?Access?Memory的縮寫，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器，它是一種類型的半導(dǎo)體存儲器。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會丟失。這一點與動態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。?然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash?Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。“隨機(jī)訪問”是指存儲器的內(nèi)容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當(dāng)中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪問速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。?
???????SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous?DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。?
???????從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。

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SDRAM：

同步動態(tài)RAM，需要刷新，速度較快，容量大。

SDRAM?的英文全稱是'Synchronous?DRAM'，翻譯成中文就是'擴(kuò)充數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存'，它比一般DRAM和EDO?RAM速度都快，它已經(jīng)逐漸成為PC機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存配置。

SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫需要時鐘來同步。

DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時鐘好像已經(jīng)有150兆的了。那么就是讀寫周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS?latency=2?時，它需要12個周期完成8個突發(fā)讀操作，10個周期完成8個突發(fā)寫操作。不過，如果以交替方式訪問Bank，SDRAM可以在每個周期完成一個讀寫操作（當(dāng)然除去刷新操作）。其實現(xiàn)在的主流高速存儲器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz

DRAM：

動態(tài)RAM，需要刷新，容量大。

DRAM?的英文全稱是'Dynamic?RAM'，翻譯成中文就是'動態(tài)隨機(jī)存儲器'。DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說內(nèi)存有多大，主要是指DRAM的容量。

DRAM，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù)。?而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁模式。

主要是存儲單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由于實現(xiàn)工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。
????一個是靜態(tài)的，一個是動態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，而動態(tài)的是用電子，要不時的刷新來保持。
內(nèi)存（即隨機(jī)存貯器RAM）可分為靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM，和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM兩種。我們經(jīng)常說的“內(nèi)存”是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少

ROM:

只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）以非破壞性讀出方式工作，只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入后就固定下來，即使切斷電源，信息也不會丟失，所以又稱為固定存儲器。ROM所存數(shù)據(jù)通常是裝入整機(jī)前寫入的，整機(jī)工作過程中只能讀出，不像隨機(jī)存儲器能快速方便地改寫存儲內(nèi)容。ROM所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定 ，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會改變，并且結(jié)構(gòu)較簡單，使用方便，因而常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。

EPROM的含義：

EPROM是一組浮bai柵晶體管，被一個提供比電子電路中常du用電壓更高電壓的電子器件分別編程。一旦編程完成后，EPROM只能用強紫外線照射來擦除。

通過封裝頂部能看見硅片的透明窗口，很容易識別EPROM，這個窗口同時用來進(jìn)行紫外線擦除。可以將EPROM的玻璃窗對準(zhǔn)陽光直射一段時間就可以擦除。

EPROM的特點：EPROM的編程需要使用編程器完成。編程器是用于產(chǎn)生EPROM編程所需要的高壓脈沖信號的裝置。編程時將EPROM的數(shù)據(jù)送到隨機(jī)存儲器中，然后啟動編程程序，編程器便將數(shù)據(jù)逐行地寫入EPROM中。

一片編程后的EPROM，可以保持其數(shù)據(jù)大約10～20年，并能無限次讀取。擦除窗口必須保持覆蓋，以防偶然被陽光擦除。老式電腦的BIOS芯片，一般都是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS發(fā)行商名稱、版本和版權(quán)聲明的標(biāo)簽所覆蓋。EPROM已經(jīng)被EEPROM取代（電擦除只讀寄存器）。

EPROM的基本原理：EEPROM的寫入過程，是利用了隧道效應(yīng)，即能量小于能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達(dá)另一邊。量子力學(xué)認(rèn)為物理尺寸與電子自由程相當(dāng)時，電子將呈現(xiàn)波動性，這里就是表明物體要足夠的小。

EEPROM的含義：

EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

EEPROM的特點：EEPROM一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用來存放硬件設(shè)置數(shù)據(jù)；也常用在防止軟件非法拷貝的“硬件鎖”上面。

EEPROM的基本原理：由于EPROM操作的不便，后來出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM。EEPROM的擦除不需要借助于其它設(shè)備，它是以電子信號來修改其內(nèi)容的，而且是以Byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了EPROM Eraser和編程器的束縛。

借助于EEPROM芯片的雙電壓特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升級時，把跳線開關(guān)打至“on”的位置，即給芯片加上相應(yīng)的編程電壓，就可以方便地升級。

EEPROM寫入過程，根據(jù)隧道效應(yīng)，包圍浮柵的SiO2，必須極薄以降低勢壘。源漏極接地，處于導(dǎo)通狀態(tài)。在控制柵上施加高于閾值電壓的高壓，以減少電場作用，吸引電子穿越。

總結(jié)

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