在歷經了前兩part的了解和熟悉后，對于SRAM的了解基本已經了然如心了。
小伙伴們在這里就可以使用自己學習的知識，就可以對SRAM的生成和遴選可以建立一套自身的方法學和流程。在這一章節，筆者分享一些淺見，對這個自動化的流程進項一些頭腦風暴和討論。

SRAM 生成方法

基于不同工藝和FAB，都會有相應的memory team對指定工藝進行memory array和peripheral進行構建。這里的構建是指的是構建一些基礎組件，然后通過打包的方式進行封裝，以自動化命令的方式交付給用戶，方便用戶進行不同的配置和選型。
不同的SRAM vendor提供的套件往往不盡相同，有的可以支持GUI和batch，有的支持batch。相較而言，batch是一定要支持的，否則在大型項目下這類工作沒法批量開展。這里以T家為例，使用batch mode進行SRAM的生成

> tsn7_1prf.exe -NonTsmcName -file $CFG_FILE

各家的SRAM都有自己默認名稱，但是用戶為了自身數據管理便利，通常需要使用自己的名稱來進行規劃，所以在T家的mem-gen的時候，建議大家使用自己的$CFG_FILE 進行名稱定義，當然，這里的$CFG_FILE需要指定出SRAM具體的位寬、位深以及column MUX的信息。簡單示例如下
)
T家的command line還支持其他的一些選項，包括并不限于

• SRAM datasheet：包含SRAM的各種時序、功耗和物理信息
• 各種view的生成選擇
  • verilog仿真模型
  • DFT view
  • timing view
  • Masis view
  • SPICE view
  • GDS view
  • LEF view
  • VOLTUS view
• 不同配置的選擇（鑒于memory類型的不同，并非每種配置都可生成出來對應的memory，用戶需要檢查memgen 日志）
  • DualRail：VDD/VDDM 時候使用不同的rail
  • ULVT/SVT：對peripheral 的std-cell VT的選擇，
  • BIST： 控制是否支持MBIST模式
  • bit-wise：是否支持bit 寫操作
  • etc…

所有的可配置接口都可以通過batch 模式下進行配置。這樣的好處是可以支持用戶在大面積SRAM遴選生成的時候實現自動化。
類似的SNPS在mem-gen里，會提供batch以及GUI接口，GUI操作相對方便一些，但是在批量生產的時候，還是需要使用batch提高生產效率
)

實際項目中SRAM 遴選維度

有了上述的講解以及工具的支撐，用戶基本已經可以開始進行SRAM的生成了。上述的信息和資源最終都是支持實際項目的工具，項目對于不同SRAM的比較、匹配和選型等操作，才是可以真正作用的實際項目上來的。
現在的大型芯片，SRAM的用量面積有甚者可以占到整個項目將近一半的面積，所以對于SRAM的選型需要從以下幾個方面進行考量

• 基于工藝的SRAM vendor的選擇

  • 渠道1：通常FAB在提供工藝的時候，也會提供SRAM vendor的推薦，常規的講，FAB自己的SRAM一般都是免費的（應該搜是被TO費用所涵蓋），譬如T家或者S家都會提供自己對應工藝的SRAM產品
  • 渠道2：一些第三方的SRAM vendor ， 他們已經和FAB之間建立了堅實的商業合同，FAB也會分享給用戶，讓用戶自己去選擇，用戶在流片的時候只需要少量的royalty費用即可。
  • 渠道3：對于某個工藝，有一些商業客戶專門去研發了SRAM，并且可以做到比原廠FAB更好的PPA，譬如S家，A家等等，這個時候用戶在使用的時候，需要像采購IP一樣去額外付費，如果用戶對某項PPA確實倚重，可以考量花這筆錢。

• Rail的考慮：這個由于牽扯整個芯片的rail設計，必須在初期考慮清楚，項目通常采用統一的策略。現在的SRAM都支持SD/DSLP設計，沒有外圍isolate邏輯的損耗，但是SRAM內部的處理一定是有isolate的代價的。基于項目對于功耗和性能的平衡，在初期選定rail模式是非常必要的。

• STAM的DFT相關：

  • BIST： 由于SRAM里邊有peripheral std-cell，這個MBIST的DFT功能可以支持對這類std-cell的fault定位。代價是由于輸入pin腳的急劇增多，可能對于APR是個新的挑戰，通常為了節省繞線資源，會跳過這些peripheral std-cell的MBIST 測試，直接對整塊memory （包含memory array）進行MBIST測試
    
  • BISR：為了實現良率，BISR有時也是需要，尤其是column redundancy bit，通過FAB給的數據，1bit的redundancy通常可進行修一檢二的操作，性價比還是很高的。
  • 所有的SRAM DFT相關部分，都需要額外的STD-cell支持，此類面積通常是memory 面積的5%~10%上下，對于大型芯片，在架構設計和面積評估的時候，此部分的影響需要全盤考量

• 形狀：由于過多memory （或者memory array）的存在，memory形狀對于APR的floorplan和pin access有比較大的影響。具體示例可見：來做一次裝修 之版圖實現第二步 – Floorplan 。 這里有幾點需要注意：

  • 不要因為速度原因將column mux設置過大。導致memory 過度扁平
  • 不要創建過小size的memory，有可能會導致常規的pg strap不能直接落在memory上，降低電源連接性能等等。

• 時序：這里重點說一下時序。由于memory的分布很廣，項目很大的時候，memory的時序問題會成為某些核心組件的性能瓶頸，譬如：L1/L2 etc. 所以在對memory選型的時候，這里需要特注意一下幾個要素

  • Tcycle: Minimum CLK cycle time CLK^ CLK^。這個參數描述的是這個memory所能支持的最小周期（最高頻率），這個一定是要比項目規劃的頻率要高，另外由于這個參數也是一個clock input transition的查找表，通常clock-transition一版會定義為50ps左右，所以這里建議，選擇memory的時候，Tcycle需要比項目的需求多一個20%的余量。如果項目的主頻是1G，那么就要要求SRAM的Tcycle time在 ssg的條件下不能超過：0.8ns

  • Tckh/Tckl Minimum CLK Pulse High/Low。通常各是Tcycle的一半上下，這里需要注意一點，對于級數過多（latency 過長）的時鐘網絡，必須優先使用clock inverter來構建clock tree，這樣才能在leaf（memory clock pin）控制好占空比，也就是盡量可以滿足：Tckh/Tckl
    

  • Tcd/Tacc: CLK to valid Q (data output)。這個是描述從memory 到Q 輸出的時間，這個對from-memory的datapath影響比較大。
    
    由于memory的規模通常比較大，這個訪問時間通常都有200ps~朝上，所以對于一個timing path來看的化，這里可能是一個path上data的最大損耗
    
    可以看到通過就降低Tqd和Tcd或者提高useful skew（Tlat_2 - Tlat_1）,可以提高芯片的性能。
    通常對于Tcd，要求不能超過整個period的60%為宜

• 功耗：不同的選型的memory 功耗也有不同，這時候memory的peripheral的ULVT和LVT的占比會讓leakage有明顯的區別，在選型的時候，需要辨別這兩種的類型對時序的影響，從而采用合適的類型。

實際項目中SRAM 生成簡易流程

通過對memory各項屬性的理解，這里可以使用下面的簡易流程來進行生成和遴選流程

確定rail和DFT對memory的通用需求

明確memory的位深和位寬需求，如果過大需要手動或者自動，基于前后端的定義的規律進行拆分

滿足上述要求的memory進行批量生成：位寬、位深，column MUX和LVT/ULVT等配置不同，出來的結果不盡相同，這里需要遍歷所有可能，提高選擇范圍

對所有的memory進行時序性能分析。需要同時滿足上述描述的Tcd和Tcycle帶余量的情況，才是可以用的memory

如果有滿足時序要求的memory，再對功耗，高寬比進行再次遴選，選擇功耗小，高寬比合理的memory交付實現使用；如果沒有滿足時序要求的memory，重新進行拆分（通常將位深砍半，時序會比較容易滿足），然后再重復步驟3~5，直到選出合適的memory。

要點：

• memory的生成數據量巨大，一定需要使用腳本化的生成模式，譬如：excel-> perl -> memgen batch run -> analyze datasheet -> release suitable memory。
• 選型初期，可以只看datasheet，其他view可以先不生成，這樣可以提高速度和減少磁盤占用。
• CM不宜過大來滿足timing，可以適當拆分，讓memory的形狀更為合理。
• 默認使用LVT進行memory的peripheral規劃，如果ECO的階段有時序障礙，可以考量調換到ULVT進行局部timing pushing，可以犧牲一部分leakage 來換取性能和節省迭代周期。
• 同等logic memory的對應physical memory，盡量選擇同等規格，這樣在floorplan布局的時候會容易處理，減少channel，提高利用率。

本章詞匯

詞匯解釋

Tcycle	memory 支持的最小周期（最高頻率）
Tcd/Tacc	memory 的訪問時間 CLK-> Q

【敲黑板劃重點】

通過三篇的學習，對于memory的結構，原理，特征參數、批處理生成和項目遴選都有了基本的了解和認識，希望這個系列的文章可以帶給大家靈感和啟發，在項目中可以更好地理解和應用memory，對項目帶來更高效的收益和PPA。

參考資料

TSMC TSMC N7 SRAM Compiler Databook
Synopsys Embed-It! Integrator User Manual

總結

以上是生活随笔為你收集整理的芯片片上SRAM存储概略及生成使用实践 （下）的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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