芯片制造是一個物理過程，存在著工藝偏差（包括摻雜濃度、擴散深度、刻蝕程度等），導致不同批次之間，同一批次不同晶圓之間，同一晶圓不同芯片之間情況都是不相同的。
在一片wafer上，不可能每點的載流子平均漂移速度都是一樣的，隨著電壓、溫度不同，它們的特性也會不同，把他們分類就有了PVT（Process，Voltage，Temperature）。

Process Corner

Process分為5個不同的corner（第一個字母代表NMOS，第二個字母代表PMOS）：

TT：Typical N Typical P

FF：Fast N Fast P

SS：Slow N Slow P

FS：Fast N Slow P

SF：Slow N Fast P
Process Corner都是針對不同濃度的N型和P型摻雜來說的。NMOS和PMOS在工藝上是獨立做出來的，彼此之間不會影響。通過Process注入的調整，模擬器件速度快慢，同時根據偏差大小設定不同等級的FF和SS。正常情況下大部分是TT，而以上5種corner在+/-3sigma可以覆蓋約99.73%的范圍，這種隨機性的發生符合正態分布。
根據偏差大小設定不同等級的 FF 和 SS，如 2FF 表示往快的方向偏2個Sigama，3SS 表示往慢點方向偏3個Sigama，1.5SS 表示往慢點方向偏1.5個Sigama 。

PVT對芯片性能的影響

不同的PVT條件組成了不同的corner，另外在數字電路設計中還要考慮RC corner的影響，排列組合后就可能有超過十種的corner要分析。但是在FPGA設計中的靜態時序分析一般僅考慮Best Case和Worst Case，也稱作Fast Process Corner 和Slow Process Corner，分別對應極端的PVT條件。

TSMC Standard I/O PVT

NameDescriptionCore VoltageI/O VoltageTempProcess

LT	Low Tempeature	1 .1 *Vdd	1 .1 *Vddpst	-40	FF
BC	Best Case	1 .1 *Vdd	1 .1 *Vddpst	0	FF
TC	Typical Case	1 .0*Vdd	1 .0*Vddpst	25	TT
WC	Worst Case	0.9*Vdd	0.9*Vddpst	125	SS
WCL	Worst Case Low Temperature	0.9*Vdd	0.9*Vddpst	-40	SS
WCZ	Worst Case Zero Temperature	0.9*Vdd	0.9*Vddpst	0	SS
ML	Maximum Leakage	1 .1 *Vdd	1 .1 *Vddpst	125	FF

流片Corner Wafer介紹
有關流片驗證的一些看法
Vivado使用誤區與進階——如何讀懂用好 Timing Report？

總結

以上是生活随笔為你收集整理的PVT（Process Voltage Temperature）的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網站內容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。