光刻過程的典型步驟是勻膠，蓋上掩模板，光刻，顯影，制備微米級或納米級的圖形。

光掩模

目前光刻圖形化使用的掩模版常為均膠鉻板，即在高潔凈度、平整度的玻璃(蘇打玻璃或石英玻璃)上鍍鉻金術，覆蓋一層防反射物質(Anti-Reflective，AR)，最后涂一層感光膠制備而成。

光刻膠(光阻)

光刻膠也叫光阻聚合物，像膠水一樣粘稠。和相機的底片感光一樣，在受到照射后會發生變化，非化學放大型光刻膠分為正膠、負膠以及雙型膠

光刻膠類型特性

正膠	被光照的部分在顯影后會被去除，被掩模版遮擋而未受到光照的地方不會被顯影去除。 聚合物成分常為酚醛或環氧樹脂，常使用醋酸鹽類溶劑
負膠	被光照的部分在顯影后會被保留，被掩模版遮擋而未受到光照的地方會被顯影去除。 最普遍的負膠是聚異戊二烯，常使用二甲苯為溶劑
雙型膠	根據顯影液不同可以分別表現出正膠特性或負膠特性

勻膠

將光刻膠涂于基底上，放入勻速轉盤旋轉
勻膠厚度為
$ T = \frac{KC^\beta\eta\gamma}{\omega^\alpha} $
其影響因素有轉速、分子質量、溶液濃度以及平臺固有的一些屬性。

光刻

光刻系統常分為接觸式、透射投影式和反射投影式。
以負膠為例，在進行光刻時，被曝光的光刻會膠形成不溶于顯影液的交聯聚合物，未被曝光的部分會被顯影液分解掉。

光學光刻的分辨率

光刻方式分辨率

接觸式	$R=3\sqrt{\lambda (s+\frac{Z}{2})}$
透射或反射投影式	$R=\frac{k?\lambda }{NA}$

$\lambda$為波長，s為光學掩模和光刻膠的距離，Z為光刻膠厚度，NA為數值孔徑，k為與實際相關的系數，在0.5~1.0間，一般為0.8

光源

光源采用波長短的紫外光

Type波長

近紫外(Near UV)	300~600 nm
遠紫外(Far UV)	250~300 nm
深紫外(Deep UV)	100~250 nm

總結

以上是生活随笔為你收集整理的光刻技术加工的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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