1.學習目標

了解光刻的整體概念

● 概述光致抗蝕劑，包括正抗蝕劑和負抗蝕劑 photoresist光致抗蝕劑 就是光刻膠

● 回顧光刻步驟

● 回顧光刻技術，包括不同的設備

2.光刻蝕技術種類 Lithography types

1.光刻（SUSS MA6）

2.納米壓印光刻（EVG 520）

3.電子束光刻（Raith EBPG 5200）

1. Photo lithography (SUSS MA6)

2. Nanoimprint lithography (EVG 520)

3. Electron beam lithography (Raith EBPG 5200)

Photo-litho-graphy: Greek: light-stone-writing

Photolithography is an optical mean of transferring a designed pattern onto a wafer

Designs are usually done using a CAD tool

攝影石刻：希臘語：輕石書寫

光刻是一種將設計圖案轉移到晶圓上的光學方法

設計通常使用CAD工具完成

例子：膠卷攝影 PCB板 CAD設計 lithograph掩膜

4.光刻晶體管

5.工藝流程

?使用CAD工具進行設備/電路設計

掩模制造

?光刻曝光系統（紫外線）

?感光膜（光刻膠）

?晶片和掩模的對準

?光刻膠的曝光

?開發模式

?曝光后處理（金屬化、蝕刻），然后發射

?晶圓上的物理結構

? Device/circuit design using a CAD tool

? Mask manufacturing

? Lithography exposure system (UV light)

? Photosensitive film (photoresist)

? Alignment of wafer and mask

? Exposure of the photoresist

? Development of pattern

? Post exposure processing (metallization, etching) followed by liftoff

? Physical structure on the wafer

Process flow

1.surface preparation

Cleaning is carried out to remove typical

contaminants from the surface prior to resist coating,

these include:

? Dust from wafer scribing

? Dust from the atmosphere

? Particles

? Lint from wipes

? Photoresist residue from previous processing

在進行抗蝕涂層之前，進行清潔以去除表面的典型污染物，

這些措施包括：

?晶圓劃片產生的灰塵

?大氣中的灰塵

?粒子

?濕巾上的棉絨

?先前處理產生的光刻膠殘留物

標準清洗流程

5 minute soak in acetone with ultrasonic agitation

5 minute soak in methanol with ultrasonic agitation

5 minute soak in isopropanol with ultrasonic agitation

30 seconds water rinse using de-ionised water

在丙酮中超聲攪拌浸泡5分鐘

用超聲波攪拌在甲醇中浸泡5分鐘

在超聲波攪拌下，在異丙醇中浸泡5分鐘

用去離子水沖洗30秒

硅片底漆

Adhesion promoters are used to assist resist coating

-Resist adhesion is affected by:

Moisture on the surface

?Type of primer

?Resist chemistry

?Surface smoothness

?Surface contamination

附著力促進劑用于輔助抗蝕涂層

-抗蝕劑附著力受以下因素影響：

表面水分

?底漆類型

?抗化學

?表面光滑度

?表面污染

aligner對準器 Diwater 去離子水

Illumination 照明

使用真空泵將晶片固定在卡盤上

分配覆蓋晶圓表面2/3的抗蝕劑

通常通過緩慢旋轉開始，以均勻分布抗蝕劑（500 rpm）

然后是更快的旋轉（3000–5000 rpm）

速度決定厚度和均勻性

Wafer is held onto the chuck using vacuum pump

Dispense resist that covers 2/3 of the wafer surface area

Usually start by slow spin to distribute the resist evenly (500 rpm)

Followed by faster spin (3000 – 5000 rpm)

The speed determines thickness and uniformity

?

總結

以上是生活随笔為你收集整理的光刻技术L1的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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