CMOS與CCD對比CMOSCCD

成像原理	光電轉換
工藝難度	工藝簡單	工藝較為復雜
成本高低	成本低廉	成本較高
像素高低	相比較低	相對較高

ISO感光度差異：由于CMOS每個畫素包含了放大器與A/D轉換電路(模擬/數字轉換電路)，過多的額外設備壓縮單一畫素的感光區域的表面積，因此在相同畫素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低于CCD。

成本差異：CMOS應用半導體工業常用的MOS，可以一次整合全部周邊設施于單芯片中，節省加工芯片所需負擔的成本和良率的損失；相對地 CCD采用電荷傳遞的方式輸出信息，必須另辟傳輸信道，如果信道中有一個畫素故障，就會導致一整排的信號無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另辟傳輸通道和外加ADC等周邊，CCD的制造成本相對高于CMOS。

分辨率差異：在第一點‘感光度差異’中，由于CMOS每個畫素的結構比CCD復雜，其感光開口不及CCD大，相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的分辨率通常會優于CMOS。

噪聲差異：由于CMOS每個感光二極管旁都搭配一個ADC放大器，如果以百萬畫素計，那么就需要百萬個以上的ADC放大器，雖然是統一制造下的產品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS最終計算出的噪聲就比較多。

功耗差異：CCD操作電壓5-15V，消耗功率2-5W；CMOS操作電壓3-5V，消耗功率20-50mW

引言

CMOS與CCD作為成像器件，是將光信號通過相關元器件轉化為電信號，主要用于各類電子產品的成像模塊中，最典型的就是相機設備！

相同點

都是通過使用硅感光二極管（photodiode）進行光與電的轉換，將光信號轉換為電信號。

不同點

互補式金屬氧化半導體?CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)

????????CMOS 成像器的特點是體積小重量輕，使用時的功耗較小，性能比較穩定，壽命也比較長，有很好的抗沖擊和抗震動的效果。而且其靈敏度較高，噪聲比較小，反映的速度也很快，對圖像處理后，圖像的變形量較小，不會出現 殘相 。還有就是它適合大規模的集成生產，生產成本也比較低。

????????原理——CMOS圖像傳感器是一種典型的固體成像傳感器，通常由像敏單元陣列、行驅動器、列驅動器、時序控制邏輯、AD轉換器、數據總線輸出接口、控制接口等幾部分組成這幾部分通常都被集成在同一塊硅片上。其工作過程一般可分為復位、光電轉換、積分、讀出幾部分。

Im——詳解CMOS圖像傳感器的工作原理-電子發燒友網https://www.elecfans.com/d/1201507.html

光電耦合組件 CCD(Charge Coupled Device)

????????CCD成像器的特點是 , 它有著非常高的集成性，照片的讀取速度也很快，但是他的噪音比較大，再加上 CCD圖像傳感器中的集成度比較高，內部的各元件的距離很近，所有會相互干擾，對相機的成像質量造成一定的影響。每一列的像素點都是串聯相關的，當一個像素點出現問題時，會導致該一列的像素都出現問題。

CCD的工作原理_電荷_移位_電壓https://www.sohu.com/a/545600960_120200283CCD的突出特點是以電荷作為信號的載體，不同于大多數以電流、電壓為信號載體的器件。

視頻簡述：【回形針化】CMOS與CCD有何不同_嗶哩嗶哩_bilibili

總結

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