1、射極旁路電容越大，低頻的放大倍數(shù)越接近設(shè)定的Av。

2、對(duì)于Re，Rc 或者 Rs，Rd：

阻值越小，低頻特性越差，高頻特性越好，通頻帶整體右移，再小，通頻帶整體放大倍數(shù)下降，遠(yuǎn)離設(shè)定的Av；

阻值越大，低頻特性越好，高頻特性越差，通頻帶整體左移，再大，通頻帶整體放大倍數(shù)越接近設(shè)定的Av（MOSFET會(huì)比設(shè)定的Av更大）

PS：波特儀的使用方法：

(15條消息) 【multisim】虛擬儀器之波特儀_zxc的星辰的博客-CSDN博客_波特儀https://blog.csdn.net/qq_45563820/article/details/104232212

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的通频带、阻值、放大倍数之间的关系（Multisim仿真所得）的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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