驗證的問題：

電源平面Z阻抗參數(shù)的提取是否需要設(shè)置VRM，以及Port 參考阻抗對仿真結(jié)果的影響。

背景：

老師在教授電源平面Z阻抗參數(shù)的提取時，由兩個關(guān)鍵步驟1.創(chuàng)建VRM，并設(shè)置VRM電阻值0.1ohm。2.設(shè)置Port的參考電阻1ohm。

圖1：電源拓?fù)?/p>

綠色的曲線時沒有設(shè)置VRM時，提取的電源平面的自阻。

紫色是按照老師的做法提取的電源平面自阻。

發(fā)現(xiàn)10K之后，綠色和紫色的曲線基本重合。

圖2：電源平面Z11，Z22和Z33的提取結(jié)果

圖3：圖2的局部放大

圖4：互阻的結(jié)果也基本重合

VRM影響低頻阻抗這是很容易理解的，因為電源本身的輸出阻抗就非常低，老師用0.1ohm電阻替代VRM是合理的。

下面我們再增加一種Case，VRM阻抗0.1ohm，Port阻抗50ohm。

圖5：VRM阻抗0.1ohm，Port阻抗50ohm時Z11，Z22和Z33的結(jié)果

可以發(fā)現(xiàn)Port 阻抗1ohm 和Port阻抗50ohm的曲線時完全重合的。

總結(jié)：

VRM阻抗會影響Z阻抗的低頻曲線，但是Port 的參考阻抗對模型提取完全沒有影響。通常網(wǎng)絡(luò)分析儀都是50ohm阻抗，是不是直接使用50ohm會比較好呢？

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的电源平面Z阻抗参数的提取是否需要设置VRM，以及Port 参考阻抗对仿真结果的影响的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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