型號：STM32L431KBU6；

該型號內存 = 128KB，起始地址 = 0x0800_0000;只有63頁；

?在L4的user manual手冊的第三章詳細介紹了FLASH的操作細節，我挑一些重要的信息；

flash擦除方式有兩種：

1、Page erase—以頁位單位擦除，1頁=2K，每次最少擦除1頁；

2、Mass erase—擦除整個flash；

比較重要的信息是flash的寫操作只能是雙字（double word，64bit），寫完第一個字，再寫第二個字。

下面貼出可用的代碼：

第一步：定義相關變量：

uint32_t flashwriteaddr = 0x08008000; //定義寫入數據的地址uint32_t pageError = 0;uint64_t flashwritedata = 0x0000000200000001;//要寫入的數據，必須得是雙字64bituint64_t flashreaddata = 0 ;FLASH_EraseInitTypeDef flash_erase; //定義一個結構體變量，里面有擦除操作需要定義的變量

關于這個寫入數據的地址，不能瞎定義，千萬別定義在程序存儲的區域；

我是這樣選的：先用ST-Link連接上mcu，看看我的程序占用了哪些空間。

? ? ? 從起始地址的0x08000000，到0x080025F0這個區間有數據，所以不能選擇這個區域。所以就盡量往下選了個肯定安全的起始地址0x08008000；

第二步：解鎖；

第三步：擦除；

第四步： 寫數據；

第五步：上鎖；

經過這5步數據就寫進去了。

具體代碼：

HAL_FLASH_Unlock(); //第二步：解鎖 flash_erase.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; //擦除類型是“Page Erase” flash_erase.Page = 16; //擦除第16頁 flash_erase.NbPages = 2; //一次性擦除2頁,可以是任意頁 HAL_FLASHEx_Erase(&flash_erase,&pageError); //第三步：參數寫好后調用擦除函數 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, flashwriteaddr, flashwritedata);//第四步：寫入數據 HAL_FLASH_Lock(); //第五步：上鎖 flashreaddata = *(__IO uint64_t *)flashwriteaddr; //讀出flash中的數據 d1 = (flashreaddata>>32) & 0xFFFFFFFF; d2 = (flashreaddata)& 0xFFFFFFFF; printf("讀出數據:%d %d\r\n",d1,d2); HAL_Delay(200);

flash_erase.Page =16的計算方法舉例：

Page =（定義的起始地址 - 基地址）/ 2K；

e.g.（0x08008000 - 0x08000000）/ (2 * 1024) = 16;

讀數據的方法只需一句話：

flashreaddata = *(__IO uint64_t *)flashwriteaddr;

因為L4的flash只能是雙字，所以必須是：*(__IO uint64_t *)

如果可以操作單字，就可以寫：*(__IO uint32_t *)

為了驗證寫入的數據：0x00000002_00000001是否正確，我把讀出來的數據拆成了兩個uint32_t變量，分別存儲高32bit數據d1，和低32bit數據d2；

打印出來的數據是：

鏈接ST-Link我們可以查看對應地址里存儲的數據：

?從圖中可以看出，對應地址0x080080000地址對應的地址就是例子中寫入的數據。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的图文介绍STM32L4读写内部flash的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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