一、7N65場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)
KIA7N65功率MOSFET是采用起亞半導(dǎo)體先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)已特別定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力，提供優(yōu)越的開關(guān)性能，并在雪崩和換相模式下承受高能脈沖。設(shè)備非常適合于高效率的開關(guān)電源，有源功率因數(shù)校正基于半橋的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

(1)RDS(on)=1.2? @ VGS=10V

(2)低柵電荷（典型的29Nc）

(3)高堅(jiān)固度

(4)快速切換

(5)100%雪崩試驗(yàn)

(6)改進(jìn)的dv/dt能力

二、7N65參數(shù)代換
7N65參數(shù)可代換KNB4665

knx4665b-通道增強(qiáng)模式硅柵電源MOSFET是專為高壓設(shè)計(jì)的。高速功率開關(guān)應(yīng)用，如高效率開關(guān)電源，有源基于半橋拓?fù)涞墓β室驍?shù)校正電子燈鎮(zhèn)流器。

(1)RDS(ON),typ=1.1Ω@VGS=10V

(2)符合ROHS要求

(3)低柵電荷最小化開關(guān)損耗

(4)快速恢復(fù)體二極管

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的7n65场效应管参数-7N65参数代换KIA4665的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。