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20N20-ASEMI低功耗場(chǎng)效應(yīng)管20A 200V

型號(hào)：20N20

品牌：ASEMI

封裝：TO-220F

正向電流：20A

反向耐壓：200V

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：1

漏電流：

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：低功耗場(chǎng)效應(yīng)管

工作溫度：-55℃~+150℃

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫(xiě)為MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。

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ASEMI全系列封裝圖

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的20N20-ASEMI低功耗场效应管20A 200V的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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