目錄

一. 黃光工藝技術（微影技術）

1.1. 光刻膠的分類

1. 2. 黃光制程

?二.??光刻流程

?2.1. 表面處理

?2.2.?光刻膠及其旋涂?

?2.3. 預焙(軟烤)口

2.4. 對準曝光 顯影?

2.5 后烤（硬烤）

2.6 刻蝕

刻蝕分類

?2.7 鍍膜

?2.8 舉離

?2.9 光刻膠去除?

總結

制作掩模版的過程

?晶圓光刻過程

一. 黃光工藝技術（微影技術）

顯影液里去顯影才能看再硅片上看到圖案。

光刻膠分為正膠、負膠。

1.1. 光刻膠的分類

光刻根據在顯影過程中曝光區域的去除或保留可分為兩種－正性光刻膠（positive photoresist）和負性光刻膠（negative photoresist）。

• 正性光刻膠之曝光部分發生光化學反應會溶于顯影液，而未曝光部分不溶于顯影液，仍然保留在襯底上，將與掩膜上相同的圖形復制到襯底上。

• 負性光刻膠之曝光部分因交聯固化而不溶于顯影液，而未曝光部分溶于顯影液，將與掩膜上相反的圖形復制到襯底上。

1. 2. 黃光制程

二.??光刻流程

• ?表面處理
• 光阻旋涂
• 預焙(軟烤)口
• 對準曝光
• 顯影
• 后烤(硬烤)
• 使用光刻膠作為掩蔽層進行蝕刻
• 剝離/灰化
• 清潔.

?2.1. 表面處理

?2.2.?光刻膠及其旋涂?

??

?

?2.3. 預焙(軟烤)口

2.4. 對準曝光 顯影

?

?掩模版

光刻原理圖

2.5 后烤（硬烤）

2.6 刻蝕

刻蝕分類

?

?2.7?鍍膜

蒸鍍，只是在表面形成一層鍍膜，容易舉離

濺鍍，會在四周都會形成鍍膜包裹，不方便舉離

?2.8?舉離

?2.9?光刻膠去除?

總結

制作掩模版的過程

?晶圓光刻過程

?

總結

以上是生活随笔為你收集整理的微纳半导体制程的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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