本篇博文最后修改時間：2017年01月06日，11:06。

一、簡介

本文以SimpleBLEPeripheral工程為例，介紹SNV的使用。

二、實驗平臺

協議棧版本：BLE-CC254x-1.4.0

編譯軟件：IAR 8.20.2

硬件平臺：Smart RF開發板（主芯片CC2541）

三、版權聲明

博主：甜甜的大香瓜

聲明：喝水不忘挖井人，轉載請注明出處。

原文地址：http://blog.csdn.NET/feilusia

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四、實驗前提 1、在進行本文步驟前，請先閱讀以下博文： 暫無
2、在進行本文步驟前，請先實現以下博文：
暫無

五、基礎知識

1、SNV是什么？

答：

NV就是從內部flash劃分出來的一塊專用于存儲數據的flash。

NV就是Non-Volatile (非易揮發)，香瓜在文檔中看到的都是NV，很長一段時間困惑為什么大家都叫它SNV。

詳細閱讀OSAL API.pdf（位于C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Documents\osal）后發現，該文檔第10章講解的是NV，第11章則講述的是SNV（Simple Non-Volatile）。

2541的協議棧用的是SNV（8位ID），而不是NV（16位ID）。

由這個線索，將我心中的各種百度不到的SNV的疑問也都迎刃而解了。

注：詳細了解SNV后才發現我低估它了，并不像多數SNV資料中寫的那么簡單，因此本篇增加了大篇幅來解析SNV是怎么一回事。

2、SNV有多大？

答：

1）在C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Projects\ble\common\cc2540\ti_51ew_cc2540b.xcl中有這么兩段代碼：

// Setup of CODE banks // ------------------- // -D_BANK0_START=0x00000 // Note: Unconventional bank numbering on this part: -D_BANK0_END=0x07FFF // "BANK0" is the root bank/common area! // -D_BANK1_START=0x18000 -D_BANK1_END=0x1FFFF // -D_BANK2_START=0x28000 -D_BANK2_END=0x2FFFF // -D_BANK3_START=0x38000 -D_BANK3_END=0x3FFFF // -D_BANK4_START=0x48000 -D_BANK4_END=0x4FFFF // -D_BANK5_START=0x58000 -D_BANK5_END=0x5FFFF // -D_BANK6_START=0x68000 -D_BANK6_END=0x6FFFF // -D_BANK7_START=0x78000 // End of code space has to match that of OSAL NV page start. // Note that in this way, we'll be wasting last page spaced by NV pages, // but in order not to overwrite NV pages when downloading new image, the waste // is inevitable. // New OSAL NV driver will move the NV pages to the last pages not wasting // last page itself. -D_BANK7_END=(_BLENV_ADDRESS_SPACE_START-1)上面這段代碼說明256K的flash被分為8個BANK，每塊BANK為32K。

在第8塊BANK的末尾分出了一塊flash，用于NV。

// Internal flash used for NV address space. // --------------------------- // // Address range for HAL_FLASH_PAGE_SIZE == 2048 -D_BLENV_ADDRESS_SPACE_START=0x7E800 -D_BLENV_ADDRESS_SPACE_END=0x7F7FF // // Address range for HAL_FLASH_PAGE_SIZE == 4096 //-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_START=0x7D000 //-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_END=0x7EFFF // -Z(CODE)BLENV_ADDRESS_SPACE=_BLENV_ADDRESS_SPACE_START-_BLENV_ADDRESS_SPACE_END

上面這段代碼說明NV的起始地址是0x7E800，終止地址是0x7F7FF，兩個數值之間有4096個字節，也就是4K。（注釋部分為8192字節，也就是8K）

這個NV大小我們可以根據需要來改變，當然NV的flash大了、放代碼的flash就小了。

2）在TI的技術論壇看到這么一句話也印證了上述說法：

3、SNV的接口資料哪里有？

答：OSAL API.pdf（位于C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Documents\osal）

4、使用SNV有什么需要注意的？

答：

在OSAL API.pdf的文檔中提到了幾個注意點：

1）寫SNV會耗時百毫秒級，盡可能在寫的時候關閉中斷。

2）盡可能地少寫SNV，因為它耗時耗電。

3）如果SNV的存儲結構改變，或者協議棧版本升級了，有必要重新擦除和初始化SNV內存數據，否則讀寫時會出錯。

4）盡量不要把SNV的代碼放到中斷函數里。

香瓜也補充一個很重要的注意點：

IAR的debug仿真時默認是全片擦除，因此會擦除flash中的code、NV。

所以經常有群友來回仿真調試時發現自己寫的掉電保存數據沒了，不知所以然，問題就出在這里。

解決辦法：

（具體我也不知道該怎么填，大家自行百度或實驗吧）

5、SNV的哪些ID是可以用的？

答：

在bcomdef.h中已經定義了一些我們不能用的SNV的ID：

/** @defgroup BLE_NV_IDS BLE Non-volatile IDs* @{*/ // Device NV Items - Range 0 - 0x1F #define BLE_NVID_IRK 0x02 //!< The Device's IRK #define BLE_NVID_CSRK 0x03 //!< The Device's CSRK #define BLE_NVID_SIGNCOUNTER 0x04 //!< The Device's Sign Counter// Bonding NV Items - Range 0x20 - 0x5F - This allows for 10 bondings #define BLE_NVID_GAP_BOND_START 0x20 //!< Start of the GAP Bond Manager's NV IDs #define BLE_NVID_GAP_BOND_END 0x5f //!< End of the GAP Bond Manager's NV IDs Range// GATT Configuration NV Items - Range 0x70 - 0x79 - This must match the number of Bonding entries #define BLE_NVID_GATT_CFG_START 0x70 //!< Start of the GATT Configuration NV IDs #define BLE_NVID_GATT_CFG_END 0x79 //!< End of the GATT Configuration NV IDs /** @} End BLE_NV_IDS */

實際上上面的ID所在的區域，本來就不是我們該使用的，我們適合用的ID是在0x80~0xFE：

注：這張表要看OSAL API.pdf的第十一章的SNV，別看錯到第十章的NV。

六、實驗步驟

1、添加頭文件（simpleBLEPeripheral.c）

#include "osal_snv.h"

2、按鍵處理代碼中添加測試代碼（simpleBLEPeripheral.c）

static uint8 write_time = 0; //擦寫次數 #define SNV_TEST_ID 0x80 static void simpleBLEPeripheral_HandleKeys( uint8 shift, uint8 keys ) {VOID shift; // Intentionally unreferenced parameter uint8 data[252];uint8 ret;//UP 讀SNVif ( keys & HAL_KEY_SW_1 ){ret = osal_snv_read(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data);if(ret == NV_OPER_FAILED){//未保存過，設置出廠數據//osal_memset(data, 0x55, sizeof(data)); //作為發送緩沖區，寫0x55for(uint8 i = 0; i < 252; i++){data[i] = i;}osal_snv_write(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data); osal_memset(data, 0, sizeof(data)); //清空緩沖區后，作為接收緩沖區 ret = osal_snv_read(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data);} }//DOWN 寫SNVif ( keys & HAL_KEY_SW_3 ){write_time++;osal_memset(data, write_time, sizeof(data));osal_snv_write(0x80, sizeof(data), data);} }

七、注意事項

暫無

八、實驗結果

1、當寫入252字節到SNV、并讀出252字節SNV時，讀寫正常。

2、當寫入253字節到SNV、并讀出253字節SNV時，讀寫異常。

實驗結果如上，一次性寫入最多252字節，當需要寫大于252字節時則需要分包，依次寫到不同ID中。

因此，實驗成功。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的【BLE】CC2541之SNV的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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