一、建庫

1、打開軟件

打開終端，輸入命令source ?RFIC.cshrc，進入工作空間，輸入命令icfb&，打開軟件。

2、打開庫管理器?

3、新建庫：file--library

輸入庫名字 LIB

不建立工程文件，然后點擊ok

4、再建立一個LIB_layout，選擇第二個，建立工程文件。點擊ok。

5、選擇對應的庫。點擊ok。庫建立完成

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二、畫原理圖（以與非門為例）

1、新建文件

2、設置文件名

3、開始畫原理圖。按“i”開始放置器件。

4、“browse”瀏覽，然后選擇“analoglib”模擬器件庫，在cell的搜索欄里搜索“pmos4”，選中“symbol”通用型，然后點“close”關閉頁面

5、設置元件參數，圖左為pmos4的參數，圖右為nmos4的參數。并放置相應的輸入輸出引腳、電源等。

6、按照原理圖連線。放置一個直流電源、兩個輸入信號源用于仿真。

7、檢查并保存。點擊如圖所示按鈕，檢查原理圖，如無誤則保存。若報錯則錯誤的地方會閃爍。修改完畢后，保存準備進行仿真。

三、仿真

1、打開如下菜單

2、點擊model libraries，打開后界面如下右。

3、刪除除第一個文件以外的所有文件，并注意參數：tt。點擊ok。

4、點擊如下菜單。設置時間為100ns，精度設置為中等精度。

5、點擊按鈕，運行仿真，并彈出報告。如無報錯，可繼續(xù)操作。

6、查看波形。選擇如下菜單。

彈出如下窗口。然后返回原理圖界面，點擊想要查看波形的點，查看波形即可。如圖則為A、B輸入與Y輸出的波形。

四、畫版圖

1、新建版圖文件。選中文件將要放置的庫，如圖新建文件

參數如圖設置，注意原理圖路徑選擇，然后點擊ok，然后彈出如下窗口，進入版圖編輯界面。

2、按“i”放置器件

選中如下選項。cell菜單可以進行搜索想要的器件。

然后設置參數，參數參考原理圖設計時設計的參數。

按照原理圖放置元件，其中選中元件，按“q”可以編輯元件屬性。

3、連線畫圖，按照原理圖畫線即可。按“p”即可畫線，畫好線后在屬性里，將線的圖層修改為“M1”金屬層。注：線需要拐直角時，畫兩根成直角的線在直角處交疊即可，但端頭不得超出。

4、添加標志，“l(fā)”添加標志，vdd與gnd設置為“vdd!”與“gnd!”，再設置輸入與輸出端口。圖層修改為“M1”金屬層。并確保標志的十字處于金屬層內。

5、因襯底默認為p型重參雜，所以pmos管與相應的vdd應置與N阱中。故添加一個NW圖層的方框。

6、因柵極不得暴露，所以應覆蓋柵極。

7、至此畫圖完畢

8、開始運行DRC檢查。檢查之前先建立檢查報告的文件夾方便保存查找。

①點擊Run DRC

②彈出窗口，設置配置文件，默認即可，點擊ok。

③選擇之前創(chuàng)建的放置檢查報告的文件夾。然后點擊運行DRC檢查。

④彈出檢查報告與檢查結果報告，然后點擊漏斗標志，選擇如圖的菜單，然后點擊Apply，即可查看錯誤。

如圖，百分數代表可以繼續(xù)壓縮的布局空間。DRC檢查完成。

9、運行LVS檢查，同樣建立保存報告的文件夾。

①打開LVS檢查菜單，設置配置文件，默認即可，點擊ok。

②選擇保存報告的路徑

③勾選輸出網表文件。然后點擊Run LVS，開始運行LVS檢查。

④選擇對應原理圖文件，然后點擊ok。

⑤運行檢查，彈出檢查報告。發(fā)現(xiàn)報告了如下錯誤：Discrepancy #1，該錯誤是網表文件錯誤。修改網表文件與我們畫的圖中的參數相匹配即可。

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⑥修改網表文件，在之前建立的保存報告的文件夾路徑下，找到 “ ‘版圖文件名’.src.net ” 的文件，并打開。

⑦修改網表文件，參數修改為如下，與原理圖一致。

⑧然后取消網表文件輸出

⑨重新運行LVS檢查，出現(xiàn)笑臉，檢查無誤。最后保存退出。

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總結

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