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为什么MOSFET栅极与源极之间要加一个电阻

發(fā)布時(shí)間:2024/3/26 75 豆豆
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 为什么MOSFET栅极与源极之间要加一个电阻 小編覺(jué)得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.

MOS管的柵極和源極之間的電阻:
一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用:保護(hù)柵極G-源極S;
保護(hù)柵極G-源極S:
場(chǎng)效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓,如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉,兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)生誤動(dòng)作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護(hù)場(chǎng)效應(yīng)管的作用。
具體的例子:MOS管在開(kāi)關(guān)狀態(tài)工作時(shí),Q1、Q2是輪流導(dǎo)通,MOS管柵極在反復(fù)充、放電狀態(tài),如果在此時(shí)關(guān)閉電源,MOS管的柵極就有兩種狀態(tài):一種是放電狀態(tài),柵極等效電容沒(méi)有電荷存儲(chǔ);另一個(gè)是充電狀態(tài),柵極等效電容正好處于電荷充滿狀態(tài),如下圖a所示。雖然電源切斷,此時(shí)Q1、Q2也都處于斷開(kāi)狀態(tài),電荷沒(méi)有釋放的回路,但MOS管柵極的電場(chǎng)仍然存在(能保持很長(zhǎng)時(shí)間),建立導(dǎo)電溝道的條件并沒(méi)有消失。這樣在再次開(kāi)機(jī)瞬間,由于激勵(lì)信號(hào)還沒(méi)有建立,而開(kāi)機(jī)瞬間MOS管的漏極電源(V1)隨機(jī)提供,在導(dǎo)電溝道的作用下,MOS管立刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流Id,引起MOS管燒壞。為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生,在MOS管的柵極對(duì)源極并接一只泄放電阻R1,如下圖b所示,關(guān)機(jī)后柵極存儲(chǔ)的電荷通過(guò)R1迅速釋放,此電阻的阻值不可太大,以保證電荷的迅速釋放,一般在五千歐至數(shù)十千歐左右。
灌流電路主要是針對(duì)MOS管在作為開(kāi)關(guān)營(yíng)運(yùn)用時(shí)其容性的輸入特性,引起“開(kāi)”、“關(guān)”動(dòng)作滯后而設(shè)置的電路,當(dāng)MOS管作為其他用途,例如線性放大等應(yīng)用時(shí),就沒(méi)有必要設(shè)置灌流電路。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的为什么MOSFET栅极与源极之间要加一个电阻的全部?jī)?nèi)容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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