00. 目錄

文章目錄

• • 00. 目錄
  • 01. 特殊指令介紹
  • 02. CLZ 計算前導(dǎo)零數(shù)目
  • 03. 飽和指令介紹
  • 04. 附錄

01. 特殊指令介紹

Fmxr /Fmrx 指令是 NEON 下的擴展指令，在做浮點運算的時候，要先打開 vfp，因此需要用到 Fmxr 指令。
Fmxr：由 arm 寄存器將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到協(xié)處理器中。
Fmrx：由協(xié)處理器轉(zhuǎn)移到 arm 寄存器中。
如圖下圖所示為浮點異常寄存器格式。

如表 3-16 所示為 FPEXC 的位定義。

FPEXC<浮點異常寄存器>，該寄存器是一個可控制 SIMD 及 VFP 的全局使能寄存器，并指定了這些擴展技術(shù)是如何記錄的。

如果要打開 VFP 協(xié)處理器的話，可以用以下指令：

mov r0, #0x40000000 fmxr fpexc, r0 @ enable NEON and VFP coprocessor

02. CLZ 計算前導(dǎo)零數(shù)目

語法格式：

CLZ {cond} Rd,Rm @ 其中： @ cond 是一個可選的條件代碼。 @ Rd 是目標(biāo)寄存器。 @ Rm 是操作數(shù)寄存器。

用法：

? CLZ 指令對 Rm 中的值的前導(dǎo)零進行計數(shù)，并將結(jié)果返回到 Rd 中，如果未在源寄存器中設(shè)置任何位，則該結(jié)果值為 32，如果設(shè)置了位 31，則結(jié)果值為 0。

條件標(biāo)記：

? 該指令不會更改標(biāo)記。

體系結(jié)構(gòu)：

? ARMv5 以上。

示例如圖 3-6 所示。

03. 飽和指令介紹

這是用來設(shè)計飽和算法的一組指令，所謂飽和是指出現(xiàn)下列 3 種情況：
（1）對于有符號飽和運算，如果結(jié)果小于-2^n ，則返回結(jié)果將為-2^n 。
（2）對于無符號飽和運算，如果整數(shù)結(jié)果是負值，那么返回的結(jié)果將為 0。
（3）對于結(jié)果大于 2^n -1 的情況，則返回結(jié)果將為 2^n -1。
只要出現(xiàn)這情況，就稱為飽和，并且飽和指令會設(shè)置 Q 標(biāo)記，下面簡單介紹一下 QADD帶符號加法。
QSUB：帶符號減法。
QDADD：帶符號加倍加法。
QDSUB：帶符號加倍減法。
將結(jié)果飽和導(dǎo)入符號范圍（-2^31 ≤x≤2^31 -1）內(nèi)。

語法格式：

op{cond} {Rd} ,Rm,Rn

其中：
q op 是 QADD、QSUB、QDADD、QDSUB 之一。
q cond 是一個可選的條件代碼。
q Rd 是目標(biāo)寄存器。
q Rm、Rn 是存放操作數(shù)的寄存器（注：不要將 r15 用作 Rd、Rm 或 Rn）。

用法如下：
q QADD 指令可將 Rm 和 Rn 中的值相加。
q QSUB 指令可從 Rm 中的值減去 Rn 中的值。
q QDADD/QDSUB 指令涉及并行指令，因此這里不多做討論。

條件標(biāo)記：

如果發(fā)生飽和，則這些指令設(shè)置 Q 標(biāo)記，若要讀取 Q 標(biāo)記的狀態(tài)，需要使用 MRS 指令。

體系結(jié)構(gòu)：

? 該指令可用于 v5T-E 及 v6 或者更高版本的體系中。

程序示例：

QADD r0 ,r1,r9 QSUBLT r9,r0,r1

04. 附錄

11.1 ARM Architecture Reference Manual

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的【ARM】ARM其它指令的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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