消息称三星 HBM 内存芯片因发热和功耗问题未通过英伟达测试
5 月 24 日消息，據(jù)路透社報(bào)道，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試。三名知情人士表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。
報(bào)道稱(chēng)，這些問(wèn)題影響到了三星的 HBM3 芯片，該芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 標(biāo)準(zhǔn)。問(wèn)題還影響了第五代 HBM3E 芯片。
三星在一份聲明中表示，HBM 是一款定制內(nèi)存產(chǎn)品，需要“根據(jù)客戶需求進(jìn)行優(yōu)化流程”，并補(bǔ)充說(shuō)，該公司正在通過(guò)與客戶的密切合作來(lái)優(yōu)化其產(chǎn)品。它拒絕對(duì)特定客戶發(fā)表評(píng)論。注意到，英偉達(dá)拒絕置評(píng)。
三位消息人士稱(chēng)，自去年以來(lái)，三星一直在努力通過(guò)英偉達(dá)對(duì) HBM3 和 HBM3E 的測(cè)試。據(jù)兩位知情人士透露，三星 8 層和 12 層 HBM3E 芯片的失敗測(cè)試結(jié)果于 4 月份公布。
目前尚不清楚這些問(wèn)題是否可以很快解決，但三位消息人士表示，未能滿足英偉達(dá)的要求增加了業(yè)界和投資者的擔(dān)憂，即三星可能會(huì)進(jìn)一步落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士和美光。
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總結(jié)
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