台积电:2nm 节点进展顺利,2025 下半年推出 N3X、N2 制程
5 月 24 日消息,據(jù)臺媒《MoneyDJ 理財網(wǎng)》報道,臺積電高管在 2024 年技術(shù)論壇新竹場上稱,其采用 Nanosheet 納米片(GAA 晶體管)的 2nm 節(jié)點進(jìn)展順利。
臺積電聯(lián)席副 COO 張曉強(qiáng)表示,臺積電的 2nm 制程進(jìn)展“非常順利”:目前納米片的“轉(zhuǎn)換表現(xiàn)”已達(dá)到目標(biāo) 90%,按良率計算也超過了 80%。
臺積電認(rèn)為其 N2 制程在 2025 年推出時,將繼續(xù)成為代工業(yè)界最領(lǐng)先的技術(shù)。
另據(jù)外媒 Anandtech 整理,臺積電將在 2025 下半年實現(xiàn) N2 制程量產(chǎn),同期還將帶來 3nm 家族中面向 HPC 應(yīng)用的 N3X 制程。
N3X 制程擁有更高的 1.2V 最大電壓,相較 N3P 制程在相同頻率下功耗降低 7%,在相同面積下性能提升 5%,在相同頻率下密度提升 10%。另據(jù)此前報道,該節(jié)點有望從今年開始接獲投片。
而在 2026 下半年,臺積電將量產(chǎn)兩個 2nm 家族變體制程:N2P 和 A16。
N2P 制程將相較 N2 制程在相同頻率和密度下功耗降低 5~10%,在相同密度和功耗下性能提升 5~10%。
在 A16 節(jié)點,臺積電將正式引入背面供電技術(shù)。該制程可在相同工作電壓下,頻率提升 8~10%;在相同頻率下功耗降低 15~20%,密度至高提升 10%。
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總結(jié)
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