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面向显示器驱动芯片,联华电子(联电)推出 22nm 嵌入式高压工艺 22eHV

發(fā)布時(shí)間:2024/6/21 windows 37 传统文化
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6 月 20 日消息,臺(tái)灣地區(qū)成熟制程代工企業(yè)聯(lián)華電子(聯(lián)電)今日推出其新一代嵌入式高壓技術(shù)平臺(tái) 22eHV。

22eHV 工藝面向顯示器驅(qū)動(dòng)芯片(注:即 DDIC、DDI)領(lǐng)域,旨在迎接智能手機(jī)領(lǐng)域?qū)?AMOLED 顯示面板不斷增長(zhǎng)的需求

▲ 圖源聯(lián)電新聞稿

聯(lián)電在 22eHV 之前的上代嵌入式高壓工藝是 28eHV,于 2020 年開始生產(chǎn)。聯(lián)電也是首家量產(chǎn) 28nm 小尺寸 DDI 的晶圓廠。

小尺寸 DDI 被廣泛用于控制智能手機(jī)、平板電腦、XR 設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的 (AM) OLED 顯示面板。

聯(lián)電宣稱其目前在全球 28nm 小尺寸 DDI 純晶圓代工領(lǐng)域的市占率超過 90%。

回到 22eHV,聯(lián)電宣稱該工藝在功耗方面較此前的 28eHV 降低了 30%,可延長(zhǎng)移動(dòng)設(shè)備電池續(xù)航。

得益于業(yè)界領(lǐng)銜的 SRAM 密度,采用 22eHV 的 DDI 芯片具有更小的面積,此外也提升了對(duì)高分辨率圖像的處理速度,能提供更佳視覺體驗(yàn)。

聯(lián)電技術(shù)研發(fā)副總經(jīng)理徐世杰表示:

藉由推出 22eHV 平臺(tái),聯(lián)電再次展現(xiàn)了世界級(jí)的 eHV 技術(shù)實(shí)力,及支持客戶提供完整產(chǎn)品路線的承諾。

除了 22 納米外,聯(lián)電的開發(fā)團(tuán)隊(duì)正持續(xù)將 eHV 產(chǎn)品組合擴(kuò)展到 FinFET 制程,以因應(yīng)顯示器未來發(fā)展趨勢(shì)。

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總結(jié)

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