內(nèi)存可以根據(jù)儲存能力與電源的關(guān)系可以分為以下兩類：

易失性存儲器（Volatile memory）指的是當(dāng)電源供應(yīng)中斷后，存儲器所儲存的資料便會消失的存儲器。主要有以下的類型：

RAM（Random access memory，隨機(jī)訪問存儲器）

DRAM（Dynamic random access memory，動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）
SRAM（Static random access memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器）

非易失性存儲器（Non-volatile memory）是指即使電源供應(yīng)中斷，存儲器所儲存的資料并不會消失，重新供電后，就能夠讀取內(nèi)存資料的存儲器。主要有以下的類型：

ROM（Read-only memory，只讀存儲器）

PROM（Programmable read-only memory，可編程只讀存儲器）
EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可編程只讀存儲器）
EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，可電擦可編程只讀存儲器）

Flash memory（快閃存儲器）

按內(nèi)存條的接口形式，常見內(nèi)存條有兩種：

單列直插內(nèi)存條（SIMM）和雙列直插內(nèi)存條（DIMM）

按內(nèi)存的工作方式：

FPA EDO DRAM-------FPM（FAST PAGE MODE）RAM
EDO（EXTENDED DATA OUT）RAM
SDRAM（同步動態(tài)RAM）-----S（SYSNECRONOUS）DRAM
DDR（DOUBLE DATA RAGE）RAM

內(nèi)存條性能評價指標(biāo)：

存儲容量：即一根內(nèi)存條可以容納的二進(jìn)制信息量，如目前常用的168線內(nèi)存條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。
存取速度：即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間，又稱為存儲周期，半導(dǎo)體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。
存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量，可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。
性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容，性能價格比是一個綜合性指標(biāo)，對于不同的存儲器有不同的要求。

SDR和DDR1/2/3全系列內(nèi)存對照表：

single-sided和double-sided、single-rank和double-rank

如果1根ECC DIMM的9顆芯片都位于DIMM的同一面，就叫做single-sided（單面）。如果9顆芯片分布在DIMM的兩面，就叫做double-sided（雙面）。作為對single-sided和double-sided的補(bǔ)充，DIMM還被分為single-rank和double-rank（也就是我們在內(nèi)存的lable上經(jīng)常能看到的1R，2R）。

2R*8----R是rank,8是內(nèi)存顆粒位寬；當(dāng)顆粒位寬×顆粒數(shù)=64bits時，這個模組就是有一個RANK。

References

http://www.360doc.com/content/11/0607/10/939554_122177662.shtml 內(nèi)存頻率介紹

http://wenku.baidu.com/view/5b55a47302768e9951e7385c.htmlsingle-sided/double-sided/single-rank/double-rank

http://diybbs.zol.com.cn/7/315_67201.htmlrank數(shù)的計算

http://www.zkvod.com/Jsjc/ShowArticle.asp?ArticleID=11內(nèi)存bank和rank區(qū)別

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的内存条分类及规格参数介绍的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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