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DDR3和DDR4内存,速度电压带宽大PK

發(fā)布時(shí)間:2024/6/21 MAC 39 博士
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 DDR3和DDR4内存,速度电压带宽大PK 小編覺(jué)得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.

A: DDR3和DDR4是兩種不同的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),它們?cè)谒俣取㈦妷汉蛶挼确矫嬗兄黠@的區(qū)別。

1.速度:

DDR3內(nèi)存的速度相對(duì)較慢,一般以1333MHz或1600MHz為主。而DDR4內(nèi)存則具備更高的速度,可以達(dá)到2133MHz、2400MHz甚至更高。

2.電壓:

DDR3內(nèi)存的工作電壓為1.5V,而DDR4內(nèi)存則采用了更低的工作電壓,一般為1.2V。這不僅能夠降低功耗,還能提高內(nèi)存的穩(wěn)定性。

3.帶寬:

DDR4內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存擁有更大的帶寬。帶寬是指單位時(shí)間內(nèi)傳輸數(shù)據(jù)量的大小,通常以GB/s來(lái)表示。DDR4內(nèi)存的帶寬通常可以達(dá)到20GB/s以上,而DDR3內(nèi)存則只能達(dá)到10GB/s左右。

除了以上三點(diǎn)主要區(qū)別外,還有一些細(xì)節(jié)上的差異:

- DDR4內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存支持更高容量的單個(gè)模塊。這意味著使用DDR4內(nèi)存時(shí)可以在單個(gè)內(nèi)存插槽上安裝更大容量的內(nèi)存條,提高系統(tǒng)的擴(kuò)展性。

- DDR4內(nèi)存采用了新的排列方式,使得信號(hào)傳輸更加穩(wěn)定,減少了干擾和噪音。這有助于提高內(nèi)存的可靠性和性能。

總結(jié)

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