本征半導體

導電能力介于導體和絕緣體之間的叫做半導體，最常見的是硅
本征半導體是純凈的半導體單晶
本征激發(fā)：當溫度升高時，價電子獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛成為自由電子。
在一定情況下，本征半導體內(nèi)激發(fā)和復合達到動態(tài)平衡。
溫度升高時，半導體的導電能力越強。

雜質(zhì)半導體

本征半導體的導電能力很弱，所以在半導體材料中摻入一定雜質(zhì)，增強半導體的導電能力。
N型半導體和P型半導體
PN結(jié)
P型半導體和N型半導體相互接觸的區(qū)域
PN結(jié)的擊穿
PN結(jié)上的反向電壓不能加得太大，如果電壓加得太大，反向電流會突然猛增，這種現(xiàn)象稱為“擊穿”
反向電流無限制增長——熱擊穿
限制反向電流——可逆擊穿
二極管主要參數(shù)：
（1）最大整流電流：二極管允許通過的最大平均電流。
（2）最大反向峰值電壓：二極管工作時允許的最大反向電壓
（3）最大正向浪涌電流：二極管允許流過的過量的正向電流，非正常工作的電流
（3）反向電流：二極未擊穿的反向電流
（4）反向恢復時間：當二極管兩端電壓從正向電壓變?yōu)榉聪螂妷簳r，理想情況時電流能夠瞬間截止，但實際要延遲一段時間，這段延時時間成為反向恢復時間。
肖特基二極管：
金屬與N型半導體接觸在交界面形成勢壘的二極管。

電容效應小，工作速度快，特別適合高頻和開關(guān)狀態(tài)下使用
肖特基二極管的耗盡層存在于N型半導體的一側(cè)，相對較薄，故其正向門限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低
耗盡層較薄，反向擊穿電壓較低反向漏電流比PN結(jié)二極管大。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的【模拟电子技术基础】学习笔记 第一章 半导体二极管的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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