..添加目錄欄目 2021/11/23 ..修改文中以前的問(wèn)題，增加后續(xù)問(wèn)題說(shuō)明（數(shù)據(jù)存儲(chǔ)大小端模式） 2021/11/23 ..增加后續(xù)問(wèn)題2.4.3（STM32L071RBT6 EEPROM讀寫全字問(wèn)題） 2021/12/27 ..更新一下STM32L071 EEPROM讀寫全字問(wèn)題最后解決說(shuō)明 2022/3/24

目錄

• 前言
• 1、STM32L051內(nèi)部存儲(chǔ)模塊地址范圍
• 2、讀寫函數(shù)的設(shè)計(jì)
• • 2.1 讀取函數(shù)
  • 2.2 EEPROM寫函數(shù)
  • • 寫入問(wèn)題說(shuō)明修改
  • 2.3 Flash寫函數(shù)
  • 2.4 讀寫EEPROM的后續(xù)問(wèn)題
  • • 2.4.1 問(wèn)題的出現(xiàn)和解決
    • 2.4.2 問(wèn)題的分析（大小端模式數(shù)據(jù)格式）
    • <font color=#FF0033>2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM讀寫全字問(wèn)題
    • • 讀問(wèn)題的出現(xiàn)
      • 寫問(wèn)題的出現(xiàn)
      • <font color=#FF0033>最后問(wèn)題的解決
• 總結(jié)

前言

今天開(kāi)始測(cè)試L051 flash的讀寫。

本系列博文目錄：

STM32L051測(cè)試 （一、使用CubeMX生成工程文件 — ST系列芯片通用）
STM32L051測(cè)試 （二、開(kāi)始添加需要的代碼）
STM32L051測(cè)試 （三、I2C協(xié)議設(shè)備的添加測(cè)試）

1、STM32L051內(nèi)部存儲(chǔ)模塊地址范圍

開(kāi)始找到F103的FLASH圖復(fù)習(xí)了一遍，然后L051C8T6,64KB的flash， 然后我驚奇的發(fā)現(xiàn)還有2KB的EEPROM。

發(fā)現(xiàn)L051系列的地址與F103完全不同，F103的flash每頁(yè)的長(zhǎng)度有1KB（小容量<=64KB）和2KB（大容量128KB起）查看各種資料，
查了2個(gè)小時(shí)，

還是不知道L051的flash 每頁(yè)長(zhǎng)度是 128Byte 還是256Byte？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？

還是請(qǐng)教了一下大佬，發(fā)現(xiàn)直接在J-Flash中可以找到答案，先上個(gè)F103的圖：

然后來(lái)看個(gè)L051的圖：

圖中64KB 的flash 和2KB的EEPROM都能都明顯的看出地址，flash 512頁(yè)，每頁(yè)128bytes，EEPROM只有4頁(yè)，每頁(yè)512bytes.知道了基本的地址，就可以操作起來(lái)了。

最后還需要確定的一點(diǎn)事，最小擦除單元是128bytes，還是256bytes，按以前的認(rèn)知，刪除是按照一個(gè)Sector擦除的，也就是128bytes，但是我查看了一些網(wǎng)上的例子和資料，有的是說(shuō)256bytes，所以后面需要自己確定一下。

其實(shí)在HAL庫(kù)的 stm32l0xx_hal_flash.h 文件中有過(guò) FLASH_PAGE_SIZE 的定義，就是128bytes ：

#define FLASH_SIZE (uint32_t)((*((uint32_t *)FLASHSIZE_BASE)&0xFFFF) * 1024U) #define FLASH_PAGE_SIZE ((uint32_t)128U) /*!< FLASH Page Size in bytes */

對(duì)于flash的操作，有一些基礎(chǔ)知識(shí)補(bǔ)充一下：

Read interface organized by word, half-word or byte in every area
? Programming in the Flash memory performed by word or half-page
? Programming in the Option bytes area performed by word
? Programming in the data EEPROM performed by word, half-word or byte
? Erase operation performed by page (in Flash memory, data EEPROM and Option
bytes)

STM32L051寫Flash必須字，讀 字節(jié)、半字、字都支持。（這句話也是錯(cuò)誤的，這是以前哪里看到的，實(shí)際測(cè)試寫可以根據(jù)字，半字，字節(jié)來(lái)寫）。

一些基本概念：

定義字是根據(jù)處理器的特性決定的。

首先ARM是32bit處理器，所以它的字是32bit的。半字自然就是16bit；
字節(jié)不論在哪個(gè)CPU上都是8bit。

1 Byte = 8 bits（即 1B=8b）
1 KB = 1024 Bytes

Bit意為“位”或“比特”，是計(jì)算機(jī)運(yùn)算的基礎(chǔ)，屬于二進(jìn)制的范疇；

Byte意為“字節(jié)”，是計(jì)算機(jī)文件大小的基本計(jì)算單位；

2、讀寫函數(shù)的設(shè)計(jì)

HAL庫(kù)中肯定是有對(duì)flash和EEPROM進(jìn)行操作的函數(shù)，我們這里新建一個(gè)stml0_flash.c 和stml0_flash.h 函數(shù)分別放在對(duì)應(yīng)位置，進(jìn)行自己的函數(shù)設(shè)計(jì)。

庫(kù)中Flash與EEPROM的函數(shù)看樣子是分別放在
stm32l0xx_hal_flash.c 和 stm32l0xx_hal_flash_ex.c 中的，我們先使用EEPROM，因?yàn)樘峁〦EPROM，就是讓用戶可以保存一些掉電后的數(shù)據(jù)的嘛。

測(cè)試完EEPROM，再去測(cè)試下flash，因?yàn)榕掠袝r(shí)候數(shù)據(jù)不夠放……

2.1 讀取函數(shù)

//讀取指定地址的半字(16位數(shù)據(jù)) uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address) {return *(__IO uint16_t*)address; }//讀取指定地址的全字(32位數(shù)據(jù)) uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address) {return *(__IO uint32_t*)address; }

簡(jiǎn)單測(cè)試一下：

u32 read_data1=0XFFFFFFFF; u32 read_data2=0XFFFFFFFF; ... read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR); printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1); read_data2 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR + EEPROM_PAGE_SIZE); printf("the EEPROM sceond page test data is: 0x %x \r\n",read_data2);

沒(méi)有寫入數(shù)據(jù)讀取的值應(yīng)該都是0。

2.2 EEPROM寫函數(shù)

對(duì)EEPROM的寫函數(shù)：
stm32l0xx_hal_flash_ex.h中函數(shù)如下：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(void);HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(uint32_t Address); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);

通過(guò)函數(shù)看來(lái)，可以直接用，但是這里有一個(gè)問(wèn)題

需要測(cè)試一下，擦除是否會(huì)擦除整個(gè)扇區(qū)，有待驗(yàn)證！！

答：EEPROM的擦除可以直接擦除某個(gè)地址的字，不會(huì)擦除整個(gè)片區(qū)

EEPROM的操作相對(duì)Flash，比較簡(jiǎn)單，直接使用HAL庫(kù)中的函數(shù)即可完成

HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1); HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(); ... if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Erase(DATA_EEPROM_START_ADDR+4);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);} ... if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);}

按照上面的例子，擦除DATA_EEPROM_START_ADDR+4的地址不會(huì)影響DATA_EEPROM_START_ADDR地址的開(kāi)始寫入的數(shù)據(jù)
寫入一樣，如果不在意以前的數(shù)據(jù)，直接寫入就可以。

總結(jié)來(lái)說(shuō)EEPROM的使用還是很好用而且簡(jiǎn)單的。

而且EEPROM是可以按照字節(jié)，半字，全字寫入的，測(cè)試了一下，是右對(duì)齊

右對(duì)齊什么意思呢，打個(gè)比方就是如果在地址 addr 中，本來(lái)寫入全字 0x12345678 然后直接在EEPROM 的 addr 這個(gè)地址，寫入半字 0xFFFF， 再讀取全字的話，addr 地址的全字就變成了 0x1234FFFF ，這個(gè)具體的為什么在地址寫入半字，不會(huì)直接從地址開(kāi)始占用2個(gè)字節(jié)，是因?yàn)榈刂返念愋蜑?uint32_t ，所以該地址就是 4個(gè)字節(jié)類型的數(shù)。

寫入問(wèn)題說(shuō)明修改

2021/11/23 修改說(shuō)明 上面一段的解釋有誤，這里修改一下，不是因?yàn)榈刂奉愋蜑閡int32_t，地址類型永遠(yuǎn)是這個(gè)，是因?yàn)槎x的數(shù)據(jù)類型為uint32_t ，然后STM32又是小端模式，所以保存的方式是從地址的最后開(kāi)始保存，4個(gè)字節(jié)的全字，第一個(gè)字節(jié)放在地址開(kāi)始+4 的位置，第二個(gè)字節(jié)放在地址開(kāi)始+3的位置，所以如果調(diào)用HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);

關(guān)鍵在于FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD以全字方式寫入半字，那么內(nèi)核會(huì)自動(dòng)分配4個(gè)字節(jié)的寬度，半字的第一個(gè)字節(jié)放在寫入地址+4 的位置，第二個(gè)字節(jié)放在寫入地址+3的位置，所以導(dǎo)致了上面的結(jié)果

HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock();HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, DATA_EEPROM_START_ADDR, 0X88);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();read_data1 = FLASH_ReadWord(DATA_EEPROM_START_ADDR);printf("the DATA_EEPROM_START_ADDR is: 0x %x \r\n",read_data1);

最后在 stml0_flash.h 中把函數(shù)完善聲明一下，使得主函數(shù)中的程序更加簡(jiǎn)潔。

void MY_DATAEEPROM_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data) {HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(TypeProgram, Address, Data);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock(); }

那么L051 的EEPROM的測(cè)試就到這里，其實(shí)有EEPROM，在項(xiàng)目中的保存數(shù)據(jù)的功能就問(wèn)題不大了，但是我們既然開(kāi)始了，就把L051 Flash的讀寫也測(cè)試一下。

2.3 Flash寫函數(shù)

Flash的讀取其實(shí)和EEPROM一樣，主要是寫函數(shù)，來(lái)看一下stm32l0xx_hal_flash.h 中有哪些函數(shù)

/* IO operation functions *****************************************************/ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data);/* FLASH IRQ handler function */ void HAL_FLASH_IRQHandler(void); /* Callbacks in non blocking modes */ void HAL_FLASH_EndOfOperationCallback(uint32_t ReturnValue); void HAL_FLASH_OperationErrorCallback(uint32_t ReturnValue);/*** @}*//** @addtogroup FLASH_Exported_Functions_Group2* @{*/ /* Peripheral Control functions ***********************************************/ HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Unlock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Lock(void); HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_OB_Launch(void);

有點(diǎn)忙，Flash的后面再也，看了幾個(gè)demo，只需要做幾個(gè)測(cè)試就可以；

2021.8.5 今天有空來(lái)接著測(cè)試一下L051 Flash的讀寫，看了下HAL_FLASH_Program函數(shù)：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint32_t Data) {HAL_StatusTypeDef status = HAL_ERROR;/* Process Locked */__HAL_LOCK(&pFlash);/* Check the parameters */assert_param(IS_FLASH_TYPEPROGRAM(TypeProgram));assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));/* Wait for last operation to be completed */status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);if(status == HAL_OK){/* Clean the error context */pFlash.ErrorCode = HAL_FLASH_ERROR_NONE;/*Program word (32-bit) at a specified address.*/*(__IO uint32_t *)Address = Data;/* Wait for last operation to be completed */status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_TIMEOUT_VALUE);}/* Process Unlocked */__HAL_UNLOCK(&pFlash);return status; }

這里也再次說(shuō)明了，L051的寫必須以字的方式寫入。

不管了，先測(cè)試一下，不擦除直接寫入，這里先定義一下寫入的地址，前面我們已經(jīng)知道了L051 flash一共 512頁(yè)，每頁(yè)128bytes，所以我們直接拿最后面的幾頁(yè)來(lái)測(cè)試

#define ADDR_FLASH_PAGE_505 0X08000000 + 128*504 // #define ADDR_FLASH_PAGE_506 0X08000000 + 128*505 // #define ADDR_FLASH_PAGE_507 0X08000000 + 128*506 // #define ADDR_FLASH_PAGE_508 0X08000000 + 128*507 // #define ADDR_FLASH_PAGE_509 0X08000000 + 128*508 // #define ADDR_FLASH_PAGE_510 0X08000000 + 128*509 // #define ADDR_FLASH_PAGE_511 0X08000000 + 128*510 // #define ADDR_FLASH_PAGE_512 0X08000000 + 128*511 //最后一頁(yè)

開(kāi)始先不擦除，直接在最后一頁(yè)寫入一個(gè)字讀取一下試試，整理一下寫入函數(shù)：

void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data) {HAL_FLASH_Unlock(); if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){printf("write data 0x%x OK\n", Data);}else{printf("failed!!!\n");}HAL_FLASH_Lock(); }

測(cè)試一下；

MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_512,write_data2);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_512);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_512 is: 0x %x \r\n",read_data1);

在沒(méi)有寫入flash之前，該地址讀出來(lái)的數(shù)據(jù)為0，寫入后讀出來(lái)是正常寫入的數(shù)據(jù)

這里有個(gè)疑問(wèn)，按理來(lái)說(shuō)，flash存儲(chǔ)器有個(gè)特點(diǎn)，就是只能寫0，不能寫1，所以flash的寫入，比需先擦除，或者至少檢查一下該數(shù)據(jù)區(qū)是否可以寫入，但是L051 怎么初始的時(shí)候讀出來(lái)是0？ 難道L051的有區(qū)別，需要測(cè)試一下

先在一個(gè)地址寫0XFFFFFFFF ，然后寫完了再寫一次別的數(shù)據(jù)看看能否直接寫入，結(jié)果是寫入了0XFFFFFFFF ，不能繼續(xù)直接寫數(shù)據(jù)，說(shuō)明，估計(jì)L051是相反的，這里具體是不是我只看測(cè)試結(jié)果，結(jié)論的話我自己知道就可以應(yīng)用，希望有權(quán)威大神指正。

這里我們得用到一個(gè)關(guān)鍵的函數(shù) ，這個(gè)函數(shù)是在stm32l0xx_hal_flash_ex.c 這個(gè)文件中的，是flash的擦除函數(shù)：

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)

所以這里我們知道了以后，可以優(yōu)化一下寫入函數(shù)，我們項(xiàng)目中用到的是可以直接對(duì)某個(gè)地址的寫入，然后也不需要保存，此頁(yè)其他的數(shù)據(jù)，所以我們把函數(shù)改成如下：

void MY_DATAFLASH_Program(uint32_t Address, uint32_t Data) {FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;uint32_t checkdata;uint32_t PAGEError = 0;checkdata = FLASH_ReadWord(Address);HAL_FLASH_Unlock(); /*如果是0，直接寫*/if(checkdata == 0){ if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){printf("write data 0x%x OK\n", Data);}else{printf("failed!!!\n");}}/*否則擦除再寫*/else{__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_OPTVERR);EraseInitStruct.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES; // 刷除方式EraseInitStruct.PageAddress = Address; // 起始地址EraseInitStruct.NbPages = 1;if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError) != HAL_OK){// 如果刷除錯(cuò)誤printf("\r\n FLASH Erase Fail\r\n");printf("Fail Code:%d\r\n",HAL_FLASH_GetError());printf("Fail Page:%d\r\n",PAGEError);}if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Address, Data) == HAL_OK){printf("write data 0x%x OK\n", Data);}else{printf("failed!!!\n");}}HAL_FLASH_Lock(); }

自己修改了一個(gè)函數(shù)， 改成這樣以后，就能直接在想寫入的地方寫入數(shù)據(jù)了，到這里，flash足夠我項(xiàng)目中的使用了。但是還有最后一個(gè)疑問(wèn)，就是擦除的一頁(yè)到底是不是128bytes我來(lái)驗(yàn)證一下。

u32 write_data1 = 0X12345678; u32 write_data2 = 0X87654321; u32 write_data3 = 0XFFFFFFFF;MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124,0X508508FF); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,write_data3); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+4,write_data2); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509+8,write_data1); MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_510,0X510510FF); read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);if(btn_getState(&K2_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){printf(" K2 150ms button!EEPROM_read test\r\n");read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_508 + 124);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_508 last is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 1 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 4);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 2 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_509 + 8);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_509 3 is: 0x %x \r\n",read_data1);read_data1 = FLASH_ReadWord(ADDR_FLASH_PAGE_510);printf("the ADDR_FLASH_PAGE_510 first is: 0x %x \r\n",read_data1);} if(btn_getState(&K1_BUTTON_150mS) == BTN_EDGE2){// printf(" K1 150ms button!,EEPROM_Erase test\r\n");// MY_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, DATA_EEPROM_START_ADDR, write_data1);printf(" K1 150ms button!,flash write test\r\n");MY_DATAFLASH_Program(ADDR_FLASH_PAGE_509,0X33333333);HAL_GPIO_TogglePin(LED_GPIO_Port, LED_Pin);}

因?yàn)榈刂肺恢萌绻袛?shù)據(jù)的話會(huì)擦除一頁(yè)再寫入，所以我們看了一下508頁(yè)最后一個(gè)地址，和510頁(yè)的第一個(gè)地址數(shù)據(jù)，對(duì)509頁(yè)的數(shù)據(jù)進(jìn)行了操作，結(jié)果發(fā)現(xiàn)不會(huì)改變508 和510的數(shù)據(jù)，509頁(yè)的數(shù)據(jù)會(huì)全部清除!

所以得出的結(jié)論顯而易見(jiàn)，flash擦除按照一頁(yè)一頁(yè)擦除，
在L051上面一頁(yè)為128bytes，而且擦除后數(shù)據(jù)全部為 0；

2.4 讀寫EEPROM的后續(xù)問(wèn)題

最近有一個(gè)項(xiàng)目，因?yàn)槿必?STM32L051R系列缺貨，買了 STM32L071RBT6 替代：

看了一下地址，其實(shí)我們上面所有的測(cè)試代碼基本都是可以直接用的，代碼直接用STM32L051的代碼也是可以的，實(shí)際項(xiàng)目中，還是使用EEPROM比較方便，所以在使用EEPROM的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)了一個(gè)問(wèn)題（并不是換了芯片的問(wèn)題），還是數(shù)據(jù)讀取和寫入的問(wèn)題。

2.4.1 問(wèn)題的出現(xiàn)和解決

下面程序的硬件平臺(tái)是 STM32L071RBT6，首先在程序中，有一個(gè)寫ID的函數(shù)：

寫入IO是通過(guò)字節(jié)的方式 byte 寫入的，寫了6個(gè)字節(jié)（藍(lán)牙設(shè)備的ID）。

然后最初讀取的函數(shù)用的是：

使用這個(gè)讀ID的函數(shù)，問(wèn)題就出來(lái)了。

上圖代碼中，我讀取ID使用的是半字讀取，處理方式是把讀到的半字前面8位給ID1， 后面8位給ID2， 但是測(cè)試中發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀出來(lái)與想要的相反，什么意思呢，看下面的測(cè)試說(shuō)明：

上電打印出EEPROM中讀取的一個(gè)地址的，每個(gè)ID（每個(gè)ID是uint8_t類型）的數(shù)據(jù)，在代碼開(kāi)始定義了測(cè)試數(shù)據(jù)：

BlueID_STRUCT test; ... /* CHBlueID_STRUCT Flash_PowerOn_BlueCheck() {CHBlueID_STRUCT PowerOn_ID;PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_blueIDRead(CH1_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_blueIDRead(CH2_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_blueIDRead(CH3_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_blueIDRead(CH4_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_blueIDRead(CH5_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_blueIDRead(CH6_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_blueIDRead(CH7_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_blueIDRead(CH8_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_blueIDRead(CH9_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_blueIDRead(CH10_ID_ADDR);return PowerOn_ID; } */ BlueChipID = Flash_PowerOn_BlueCheck(); //上電先把ID讀出來(lái)做比較 //打印一個(gè)出來(lái)測(cè)試，看結(jié)果 printf("BlueChipID.CH1ID is 0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x,0x%x\r\n",BlueChipID.CH1ID.ID1,BlueChipID.CH1ID.ID2,BlueChipID.CH1ID.ID3,BlueChipID.CH1ID.ID4,BlueChipID.CH1ID.ID5,BlueChipID.CH1ID.ID6);test.ID1= 0XFF; //結(jié)構(gòu)體每個(gè)元素是 uint8_t 類型 test.ID2= 0XEE; test.ID3= 0XDD; test.ID4= 0XCC; test.ID5= 0XBB; test.ID6= 0XAA;while (1){...}

在程序中通過(guò)操作，寫入測(cè)試數(shù)據(jù)，調(diào)用上面提到過(guò)的寫ID的函數(shù)，寫ID的函數(shù)是每個(gè)字節(jié)每個(gè)字節(jié)寫的：

按我們希望的結(jié)果來(lái)說(shuō)，讀出來(lái)按照順序打印，應(yīng)該是：0xff,0xee,0xdd,0xcc,0xbb,0xaa 。測(cè)試實(shí)際上是：

為了確實(shí)是讀的問(wèn)題還是寫的問(wèn)題，添加了讀字節(jié)的函數(shù)：

打印的結(jié)果：

說(shuō)明確實(shí)是ID的讀取函數(shù)出的問(wèn)題，是因?yàn)槭褂玫陌胱肿x取，問(wèn)題處理不麻煩，我們把讀取函數(shù)修改一下：

BlueID_STRUCT FLASH_blueIDRead(uint32_t address) {BlueID_STRUCT u48id;// uint16_t temp1,temp2,temp3; /**(__IO uint16_t*)address; */// temp1=*(__IO uint16_t*)address; // u48id.ID1 = (uint8_t)(temp1>>8);// u48id.ID2 = (uint8_t)(temp1&0X00FF);// temp2=*(__IO uint16_t*)(address+2);// u48id.ID3 = (uint8_t)(temp2>>8);// u48id.ID4 = (uint8_t)(temp2&0X00FF);// temp3=*(__IO uint16_t*)(address+4);// u48id.ID5 = (uint8_t)(temp3>>8);// u48id.ID6 = (uint8_t)(temp3&0X00FF); u48id.ID1 = FLASH_Readbyte(address);u48id.ID2 = FLASH_Readbyte(address+1);u48id.ID3 = FLASH_Readbyte(address+2);u48id.ID4 = FLASH_Readbyte(address+3);u48id.ID5 = FLASH_Readbyte(address+4);u48id.ID6 = FLASH_Readbyte(address+5);return u48id; }

測(cè)試結(jié)果才正常了，如下圖：

2.4.2 問(wèn)題的分析（大小端模式數(shù)據(jù)格式）

出現(xiàn)上面的問(wèn)題，其實(shí)是和我們經(jīng)常說(shuō)的大端模式和小端模式有關(guān)的。

STM32使用的是小端模式，簡(jiǎn)單介紹一下大端模式小端模式數(shù)據(jù)存放的方式，如下圖：

知道上面的知識(shí)，我們?cè)陂_(kāi)始的讀取函數(shù)中是直接讀取的半字(__IO uint16_t*)address; ，但是我們寫入的時(shí)候是一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)寫入，上面的例子所以我們內(nèi)存中的數(shù)據(jù)實(shí)際上如下圖所示：

使用(__IO uint16_t*)address; 去讀取，讀取出來(lái)的數(shù)值一個(gè)uint16_t類型的數(shù)值：

假設(shè)是 a，a=*(__IO uint16_t*)addr; 會(huì)有 a = 0xEEFF; 所以高8位變成了 0xEE。 OK！ 解釋清楚！問(wèn)題解決！

至此，我們基本上把STM32L051 的EEPROM 和Flash 功能都測(cè)試過(guò)了，把工程中需要用到的功能做了測(cè)試，也學(xué)到了一些新的知識(shí)，還是實(shí)踐出結(jié)論啊，當(dāng)初沒(méi)有自己測(cè)試之前看了網(wǎng)上的有關(guān)類似的介紹，還是很多誤解，這下全部清晰了。

2.4.3 STM32L071RBT6 EEPROM讀寫全字問(wèn)題

讀問(wèn)題的出現(xiàn)

前面其實(shí)測(cè)試過(guò)，讀取全字是可以的，直接使用return *(__IO uint32_t*)address;：便可以讀到該地址的全字：

uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address) {return *(__IO uint32_t*)address; }

所以在后面使用過(guò)程中，有這么一個(gè)函數(shù)：

一開(kāi)始還真的不知道哪里出了問(wèn)題？折騰了好一陣才發(fā)現(xiàn)調(diào)用函數(shù)讀取ID時(shí)就會(huì)卡死。

問(wèn)題的解決：

因?yàn)檫€有另外一個(gè)藍(lán)牙版本的產(chǎn)品，如果是藍(lán)牙設(shè)備的ID，因?yàn)樗{(lán)牙設(shè)備的ID是6位的，所以當(dāng)時(shí)讀取藍(lán)牙的ID的時(shí)候使用的是（藍(lán)牙版本是沒(méi)問(wèn)題的）：

其實(shí)折騰了好一會(huì)兒，后來(lái)想著藍(lán)牙是讀一個(gè)字節(jié)，要不要試著把 全字 分為 4個(gè)字節(jié)，單獨(dú)讀取試一試？

于是學(xué)藍(lán)牙把程序分為4個(gè)字節(jié)讀取：

代碼也放一下，方便復(fù)制：

u32 FLASH_ReadEnoceanID(uint32_t address) {u32 keepid;u8 i;keepid = FLASH_Readbyte(address);i = FLASH_Readbyte(address + 1);keepid = (i<<8)|keepid;i = FLASH_Readbyte(address + 2);keepid = (i<<16)|keepid;i = FLASH_Readbyte(address + 3);keepid = (i<<24)|keepid;return keepid; }CHID_STRUCT Flash_PowerOn_Check() {CHID_STRUCT PowerOn_ID;PowerOn_ID.CH1ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH1_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH2ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH2_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH3ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH3_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH4ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH4_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH5ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH5_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH6ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH6_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH7ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH7_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH8ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH8_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH9ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH9_ID_ADDR);PowerOn_ID.CH10ID = FLASH_ReadEnoceanID(CH10_ID_ADDR);return PowerOn_ID; }

測(cè)試一下，發(fā)現(xiàn)就好了，至于原因，目前還不知道為什么……（最后問(wèn)題解決有說(shuō)明，內(nèi)存字節(jié)對(duì)齊問(wèn)題）

寫問(wèn)題的出現(xiàn)

本來(lái)以為解決了上面問(wèn)題OK了，可是后面測(cè)試的時(shí)候發(fā)現(xiàn)寫的時(shí)候也有問(wèn)題：

一直用的寫全字函數(shù)為：

FLASH_Status FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data) {FLASH_Status i = FLASH_COMPLETE;HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_WORD, Address, Data) != HAL_OK);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();return i; }

在程序中會(huì)調(diào)用此函數(shù)進(jìn)行 ID 保存：

但是使用時(shí)候發(fā)現(xiàn)：

問(wèn)題的解決：

其實(shí)這個(gè)問(wèn)題也莫名其妙，真是說(shuō)不出來(lái)為什么，估計(jì)是得詳細(xì)的查看數(shù)據(jù)手冊(cè)，但是還是 因?yàn)?在藍(lán)牙的版本上面沒(méi)有此類問(wèn)題：

所以這里還是嘗試改成 以 字節(jié) 方式寫入：

FLASH_Status FLASH_WriteWord(uint32_t Address, uint32_t Data) {FLASH_Status state = FLASH_COMPLETE;u8 i = 0;u8 writedata[6]={0};writedata[0] = (u8)Data;writedata[1] = (u8)(Data>>8);writedata[2] = (u8)(Data>>16);writedata[3] = (u8)(Data>>24);HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Unlock(); for(i=0; i<4; i++){while(HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Program(FLASH_TYPEPROGRAMDATA_BYTE, Address + i, writedata[i]) != HAL_OK);}HAL_FLASHEx_DATAEEPROM_Lock();return state; }

使用此種方式寫入，就不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題！

其實(shí)也可以嘗試修改地址，使得成為 4 的倍數(shù)，可能也不會(huì)出問(wèn)題，這里就不測(cè)試了（最后問(wèn)題解決有還是測(cè)試了，內(nèi)存字節(jié)對(duì)齊問(wèn)題）

2.4.3小結(jié)使用的芯片為 STM32L071RBT6

最后問(wèn)題的解決

先直接說(shuō)結(jié)論，就是EEPROM地址定義的問(wèn)題，應(yīng)該是4字節(jié)對(duì)齊（4的整數(shù)倍），讀取全字的操作才能正常！

上面 STM32L071RBT6 EEPROM 讀寫全字問(wèn)題的關(guān)鍵在于，存儲(chǔ)地址的定義上，如上面一張圖所示：

（我在EEPROM區(qū)域定義了10個(gè)地址，用來(lái)存放無(wú)線設(shè)備的ID數(shù)據(jù)，如果是藍(lán)牙芯片，那么ID為6個(gè)字節(jié)，如果是Enocean芯片，那么ID為4個(gè)字節(jié)，為了保持代碼的統(tǒng)一，我在使用保存4個(gè)字節(jié)的ID數(shù)據(jù)的地址定義時(shí)候沿用的是藍(lán)牙的 EEPROM區(qū)域定義）

那么正如我圖中猜想的一樣，藍(lán)牙的 ID 6個(gè)字節(jié)，我是都是通過(guò)一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)操作，組合起來(lái)進(jìn)行的，所以一切正常。

但是對(duì)于 4個(gè)字節(jié)的 ID ，期初是用的 全字的方式，就出問(wèn)題了，換成一個(gè)字節(jié)一個(gè)字節(jié)的操作，看上去是解決問(wèn)題了。

但是實(shí)際上多了一些隱藏問(wèn)題，暫時(shí)也說(shuō)不清楚，在產(chǎn)品使用的時(shí)候，讀寫ID還是會(huì)有莫名其妙的問(wèn)題，最終還是對(duì)當(dāng)初的這個(gè)猜想，地址是不是也需要4字節(jié)對(duì)齊？進(jìn)行了修改測(cè)試，于是乎，對(duì)于 4 個(gè)字節(jié) ID的處理，地址改成：

把地址修改成 4 的倍數(shù)以后，上面的讀取全字的兩個(gè)函數(shù)便可以正常使用，而不會(huì)出上面莫名其妙的問(wèn)題。

總結(jié)

在STM32L0 系列讀取 EEPROM 的時(shí)候，需要注意：

字節(jié)操作，傳入合理范圍內(nèi)的任何地址參數(shù)都可以；

半字操作，地址需要 2 字節(jié)對(duì)齊，就是 2的倍數(shù)；

全字操作，地址需要 4 字節(jié)對(duì)齊，就是 4 的倍數(shù)；

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的STM32L051测试 （四、Flash和EEPROM的读写）的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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