FLASH和EEPROM的最大區(qū)別

FLASH和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同，FLASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設(shè)計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。

至于那個“總工”說的話如果不是張一刀記錯了的話，那是連基本概念都不對，只能說那個“總工”不但根本不懂芯片設(shè)計，就連MCU系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)都沒掌握。在芯片的內(nèi)電路中，FLASH和EEPROM不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結(jié)構(gòu)還是哈佛結(jié)構(gòu)都是這樣。技術(shù)上，程序存儲器和非易失數(shù)據(jù)存儲器都可以只用FALSH結(jié)構(gòu)或EEPROM結(jié)構(gòu)，甚至可以用“變通”的技術(shù)手段在程序存儲區(qū)模擬“數(shù)據(jù)存儲區(qū)”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
沒有嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓ぷ骶?#xff0c;根本無法成為真正的技術(shù)高手。

現(xiàn)在的單片機(jī),RAM主要是做運(yùn)行時數(shù)據(jù)存儲器,FLASH主要是程序存儲器,EEPROM主要是用以在程序運(yùn)行保存一些需要掉電不丟失的數(shù)據(jù)。

另外，一些變量，都是放到RAM里的，一些初始化數(shù)據(jù)比如液晶要顯示的內(nèi)容界面，都是放到FLASH區(qū)里的（也就是以前說的ROM區(qū)），EEPROM可用可不用，主要是存一些運(yùn)行中的數(shù)據(jù)，掉電后且不丟失。

ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機(jī)的內(nèi)存。

RAROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機(jī)的內(nèi)存。

RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設(shè)備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存，而且它有著成本優(yōu)勢，事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
內(nèi)存工作原理：

內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，我們平常所提到的計算機(jī)的內(nèi)存指的是動態(tài)內(nèi)存（即DRAM），動態(tài)內(nèi)存中所謂的"動態(tài)"，指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后，經(jīng)過一段時間，數(shù)據(jù)會丟失，因此需要一個額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。
具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數(shù)據(jù)丟失的原因；刷新操作定期對電容進(jìn)行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認(rèn)為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認(rèn)為其代表0，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。

ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區(qū)別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產(chǎn)品，現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。

舉個例子，手機(jī)軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因?yàn)楫?dāng)時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。

FLASH存儲器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數(shù)據(jù)同時可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設(shè)備，然而近年來 Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤）。

目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash

NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。

NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的，通常是一次讀取512個字節(jié)，采用這種技術(shù)的Flash比較廉價。用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動代碼。

一般小容量的用NOR Flash，因?yàn)槠渥x取速度快，多用來存儲操作系統(tǒng)等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。

NAND Flash和NOR Flash的比較

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR 和NAND閃存。

相"flash存儲器"經(jīng)常可以與相"NOR存儲器"互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因?yàn)榇蠖鄶?shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。

NOR是現(xiàn)在市場上主要的非易失閃存技術(shù)。NOR一般只用來存儲少量的代碼；NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中。NOR的特點(diǎn)是應(yīng)用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在（NOR型）flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分。

NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。
　　
1、性能比較:
　　flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為 1。
　　由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。
　　執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲解決方案時，設(shè)計師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素：
　　● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
　　● NAND的寫入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
　　● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
　　● NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。
(注：NOR FLASH SECTOR擦除時間視品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除時間為60ms，而有的需要最大6s。)

2、接口差別:
　　NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。
　　NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。
　　NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。
　　
3、容量和成本:
　　NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，也就相應(yīng)地降低了價格。
　　NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲，NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所占份額最大。
　　
4、可靠性和耐用性:
　　采用flahs介質(zhì)時一個需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
　　A) 壽命(耐用性)
　　在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
　　B) 位交換
　　所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多)，一個比特(bit)位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報告反轉(zhuǎn)了。
　　一位的變化可能不很明顯，但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上，這個小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
　　當(dāng)然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。
　　這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當(dāng)然，如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。
　　C) 壞塊處理
　　NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成功率太低，代價太高，根本不劃算。
　　NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。
　　
5、易于使用:
　　可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
　　由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
　　在使用NAND器件時，必須先寫入驅(qū)動程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记?#xff0c;因?yàn)樵O(shè)計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。
　　
6、軟件支持:
　　當(dāng)討論軟件支持的時候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化。
　　
　　在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時，通常需要驅(qū)動程序，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時都需要MTD。
　　
　　使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動，該驅(qū)動被Wind River system、Microsoft、QNX Software system、Symbian和Intel等廠商所采用。
　　
驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
NOR FLASH的主要供應(yīng)商是INTEL ,MICRO等廠商，曾經(jīng)是FLASH的主流產(chǎn)品，但現(xiàn)在被NAND FLASH擠的比較難受。它的優(yōu)點(diǎn)是可以直接從FLASH中運(yùn)行程序，但是工藝復(fù)雜，價格比較貴。

NAND FLASH的主要供應(yīng)商是SAMSUNG和東芝，在U盤、各種存儲卡、MP3播放器里面的都是這種FLASH，由于工藝上的不同，它比NOR FLASH擁有更大存儲容量，而且便宜。但也有缺點(diǎn)，就是無法尋址直接運(yùn)行程序，只能存儲數(shù)據(jù)。另外NAND FLASH 非常容易出現(xiàn)壞區(qū)，所以需要有校驗(yàn)的算法。

在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲數(shù)據(jù)和程序，但是必須有NOR FLASH來啟動。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動程序。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啟動機(jī)器，在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運(yùn)行才行，挺麻煩的。

DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機(jī)存儲器。由于它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步。

SRAM 利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲器。

以上主要用于系統(tǒng)內(nèi)存儲器，容量大，不需要斷電后仍保存數(shù)據(jù)的。

Flash ROM 是利用浮置柵上的電容存儲電荷來保存信息，因?yàn)楦≈脰挪粫╇?#xff0c;所以斷電后信息仍然可以保存。也由于其機(jī)構(gòu)簡單所以集成度可以做的很高，容量可以很大。 Flash rom寫入前需要用電進(jìn)行擦除，而且擦除不同與EEPROM可以以byte(字節(jié))為單位進(jìn)行，flash rom只能以sector(扇區(qū))為單位進(jìn)行。不過其寫入時可以byte為單位。flash rom主要用于bios，U盤，Mp3等需要大容量且斷電不丟數(shù)據(jù)的設(shè)備。

PSRAM，假靜態(tài)隨機(jī)存儲器

背景：
PSRAM具有一個單晶體管的DRAM儲存格，與傳統(tǒng)具有六個晶體管的SRAM儲存格或是四個晶體管與two-load resistor SRAM 儲存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩(wěn)定接口，內(nèi)部的DRAM架構(gòu)給予PSRAM一些比low-power 6T SRAM優(yōu)異的長處，例如體積更為輕巧，售價更具競爭力。目前在整體SRAM市場中，有90%的制造商都在生產(chǎn)PSRAM組件。在過去兩年，市場上重要的 SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。

基本原理：
PSRAM就是偽SRAM，內(nèi)部的內(nèi)存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復(fù)雜的控制器和刷新機(jī)制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。
PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發(fā)模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等廠家都有供應(yīng)，價格只比相同容量的SDRAM稍貴一點(diǎn)點(diǎn)，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要應(yīng)用于手機(jī)，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費(fèi)電子產(chǎn)品與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有 4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對于要求有一定緩存容量的很多便攜式產(chǎn)品是一個理想的選擇。
各種Flash卡:

數(shù)碼閃存卡：主流數(shù)碼存儲介質(zhì)
數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦、手機(jī)等數(shù)字設(shè)備是閃存最主要的市場。前面提到，手機(jī)領(lǐng)域以NOR型閃存為主、閃存芯片被直接做在內(nèi)部的電路板上，但數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、掌上電腦等設(shè)備要求存儲介質(zhì)具備可更換性，這就必須制定出接口標(biāo)準(zhǔn)來實(shí)現(xiàn)連接，閃存卡技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。閃存卡是以閃存作為核心存儲部件，此外它還具備接口控制電路和外在的封裝，從邏輯層面來說可以和閃盤歸為一類，只是閃存卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤則使用通行的USB接口。由于歷史原因，閃存卡技術(shù)未能形成業(yè)界統(tǒng)一的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，許多廠商都開發(fā)出自己的閃存卡方案。目前比較常見的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的 Memory Stick記憶棒。

CF卡（CompactFlash）
CF卡是美國SanDisk 公司于1994引入的閃存卡，可以說是最早的大容量便攜式存儲設(shè)備。它的大小只有43mm×36mm×3.3mm，相當(dāng)于筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。CF卡內(nèi)部擁有獨(dú)立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它與設(shè)備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似，只是CF卡的針腳數(shù)多達(dá)五十針。這種連接方式穩(wěn)定而可靠，并不會因?yàn)轭l繁插拔而影響其穩(wěn)定性。
CF 卡沒有任何活動的部件，不存在物理壞道之類的問題，而且擁有優(yōu)秀的抗震性能， CF卡比軟盤、硬盤之類的設(shè)備要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自適應(yīng)3.3伏和5伏兩種電壓，耗電量大約相當(dāng)于桌面硬盤的百分之五。這樣的特性是出類拔萃的，CF卡出現(xiàn)之后便成為數(shù)碼相機(jī)的首選存儲設(shè)備。經(jīng)過多年的發(fā)展，CF卡技術(shù)已經(jīng)非常成熟，容量從最初的4MB飆升到如今的3GB，價格也越來越平實(shí)，受到各數(shù)碼相機(jī)制造商的普遍喜愛，CF卡目前在數(shù)碼相機(jī)存儲卡領(lǐng)域的市場占有率排在第二位。

MMC卡 (MultiMediaCard)
MMC卡是SanDisk公司和德國西門子公司于1997年合作推出的新型存儲卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多；其重量也多在2克以下，并且具有耐沖擊、可反復(fù)讀寫30萬次以上等特點(diǎn)。從本質(zhì)上看，MMC與CF其實(shí)屬于同一技術(shù)體系，兩者結(jié)構(gòu)都包括快閃存芯片和控制器芯片，功能也完全一樣，只是MMC卡的尺寸超小，而連接器也必須做在狹小的卡里面，導(dǎo)致生產(chǎn)難度和制造成本都很高、價格較為昂貴。MMC主要應(yīng)用與移動電話和MP3播放器等體積小的設(shè)備。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的FLASH和EEPROM的最大区别的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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