FLASH和EEPROM的最大區別

FLASH和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作，EEPROM則按字節操作，二者尋址方法不同，存儲單元的結構也不同，FLASH的電路結構較簡單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲器，EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器，而廉價型設計往往只有FLASH，早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構，現在已基本上停產了。

至于那個“總工”說的話如果不是張一刀記錯了的話，那是連基本概念都不對，只能說那個“總工”不但根本不懂芯片設計，就連MCU系統的基本結構都沒掌握。在芯片的內電路中，FLASH和EEPROM不僅電路不同，地址空間也不同，操作方法和指令自然也不同，不論馮諾伊曼結構還是哈佛結構都是這樣。技術上，程序存儲器和非易失數據存儲器都可以只用FALSH結構或EEPROM結構，甚至可以用“變通”的技術手段在程序存儲區模擬“數據存儲區”，但就算如此，概念上二者依然不同，這是基本常識問題。
沒有嚴謹的工作精神，根本無法成為真正的技術高手。

現在的單片機,RAM主要是做運行時數據存儲器,FLASH主要是程序存儲器,EEPROM主要是用以在程序運行保存一些需要掉電不丟失的數據。

另外，一些變量，都是放到RAM里的，一些初始化數據比如液晶要顯示的內容界面，都是放到FLASH區里的（也就是以前說的ROM區），EEPROM可用可不用，主要是存一些運行中的數據，掉電后且不丟失。

ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。

RAROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。

RAM有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標準－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
內存工作原理：

內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的"動態"，指的是當我們將數據寫入DRAM后，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。
具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決于電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大于滿電量的1／2，則認為其代表1，并把電容充滿電；若電量小于1／2，則認為其代表0，并把電容放電，藉此來保持數據的連續性。

ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟件灌入后，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。

舉個例子，手機軟件一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最后撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄保存在EEPROM中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。

FLASH存儲器又稱閃存，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年里，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來 Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬盤使用（U盤）。

目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash

NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。

NAND Flash沒有采取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，采用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發板除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。

一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來存儲操作系統等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統采用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的"閃盤"，可以在線擦除。目前市面上的FLASH 主要來自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生產NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba。

NAND Flash和NOR Flash的比較

NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR 和NAND閃存。

相"flash存儲器"經常可以與相"NOR存儲器"互換使用。許多業內人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優越之處，因為大多數情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。

NOR是現在市場上主要的非易失閃存技術。NOR一般只用來存儲少量的代碼；NOR主要應用在代碼存儲介質中。NOR的特點是應用簡單、無需專門的接口電路、傳輸效率高，它是屬于芯片內執行(XIP, eXecute In Place)，這樣應用程序可以直接在（NOR型）flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場的大部分。

NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。
　　
1、性能比較:
　　flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為 1。
　　由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。
　　執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素：
　　● NOR的讀速度比NAND稍快一些。
　　● NAND的寫入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
　　● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
　　● NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。
(注：NOR FLASH SECTOR擦除時間視品牌、大小不同而不同，比如，4M FLASH，有的SECTOR擦除時間為60ms，而有的需要最大6s。)

2、接口差別:
　　NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。
　　NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
　　NAND讀和寫操作采用512字節的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。
　　
3、容量和成本:
　　NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。
　　NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的產品當中，這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中，NAND適合于數據存儲，NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所占份額最大。
　　
4、可靠性和耐用性:
　　采用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
　　A) 壽命(耐用性)
　　在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
　　B) 位交換
　　所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特(bit)位會發生反轉或被報告反轉了。
　　一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。
　　當然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用EDC/ECC算法。
　　這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。
　　C) 壞塊處理
　　NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成功率太低，代價太高，根本不劃算。
　　NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。
　　
5、易于使用:
　　可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運行代碼。
　　由于需要I/O接口，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
　　在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。
　　
6、軟件支持:
　　當討論軟件支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優化。
　　
　　在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
　　
　　使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River system、Microsoft、QNX Software system、Symbian和Intel等廠商所采用。
　　
驅動還用于對DiskOnChip產品進行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
NOR FLASH的主要供應商是INTEL ,MICRO等廠商，曾經是FLASH的主流產品，但現在被NAND FLASH擠的比較難受。它的優點是可以直接從FLASH中運行程序，但是工藝復雜，價格比較貴。

NAND FLASH的主要供應商是SAMSUNG和東芝，在U盤、各種存儲卡、MP3播放器里面的都是這種FLASH，由于工藝上的不同，它比NOR FLASH擁有更大存儲容量，而且便宜。但也有缺點，就是無法尋址直接運行程序，只能存儲數據。另外NAND FLASH 非常容易出現壞區，所以需要有校驗的算法。

在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲數據和程序，但是必須有NOR FLASH來啟動。除了SAMSUNG處理器，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動程序。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啟動機器，在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運行才行，挺麻煩的。

DRAM 利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數據之后也需要補充電荷，這個就叫動態刷新，所以稱其為動態隨機存儲器。由于它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步。

SRAM 利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新，所以叫靜態隨機存儲器。

以上主要用于系統內存儲器，容量大，不需要斷電后仍保存數據的。

Flash ROM 是利用浮置柵上的電容存儲電荷來保存信息，因為浮置柵不會漏電，所以斷電后信息仍然可以保存。也由于其機構簡單所以集成度可以做的很高，容量可以很大。 Flash rom寫入前需要用電進行擦除，而且擦除不同與EEPROM可以以byte(字節)為單位進行，flash rom只能以sector(扇區)為單位進行。不過其寫入時可以byte為單位。flash rom主要用于bios，U盤，Mp3等需要大容量且斷電不丟數據的設備。

PSRAM，假靜態隨機存儲器

背景：
PSRAM具有一個單晶體管的DRAM儲存格，與傳統具有六個晶體管的SRAM儲存格或是四個晶體管與two-load resistor SRAM 儲存格大不相同，但它具有類似SRAM的穩定接口，內部的DRAM架構給予PSRAM一些比low-power 6T SRAM優異的長處，例如體積更為輕巧，售價更具競爭力。目前在整體SRAM市場中，有90%的制造商都在生產PSRAM組件。在過去兩年，市場上重要的 SRAM/PSRAM供貨商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron與Toshiba等。

基本原理：
PSRAM就是偽SRAM，內部的內存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。
PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量沒有SDRAM那樣密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突發模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等廠家都有供應，價格只比相同容量的SDRAM稍貴一點點，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要應用于手機，電子詞典，掌上電腦，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消費電子產品與SRAM(采用6T的技術)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.在容量上,目前有 4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對于要求有一定緩存容量的很多便攜式產品是一個理想的選擇。
各種Flash卡:

數碼閃存卡：主流數碼存儲介質
數碼相機、MP3播放器、掌上電腦、手機等數字設備是閃存最主要的市場。前面提到，手機領域以NOR型閃存為主、閃存芯片被直接做在內部的電路板上，但數碼相機、MP3播放器、掌上電腦等設備要求存儲介質具備可更換性，這就必須制定出接口標準來實現連接，閃存卡技術應運而生。閃存卡是以閃存作為核心存儲部件，此外它還具備接口控制電路和外在的封裝，從邏輯層面來說可以和閃盤歸為一類，只是閃存卡具有更濃的專用化色彩、而閃盤則使用通行的USB接口。由于歷史原因，閃存卡技術未能形成業界統一的工業標準，許多廠商都開發出自己的閃存卡方案。目前比較常見的有CF卡、SD卡、SM卡、MMC卡和索尼的 Memory Stick記憶棒。

CF卡（CompactFlash）
CF卡是美國SanDisk 公司于1994引入的閃存卡，可以說是最早的大容量便攜式存儲設備。它的大小只有43mm×36mm×3.3mm，相當于筆記本電腦的PCMCIA卡體積的四分之一。CF卡內部擁有獨立的控制器芯片、具有完全的PCMCIA-ATA 功能，它與設備的連接方式同PCMCIA卡的連接方式類似，只是CF卡的針腳數多達五十針。這種連接方式穩定而可靠，并不會因為頻繁插拔而影響其穩定性。
CF 卡沒有任何活動的部件，不存在物理壞道之類的問題，而且擁有優秀的抗震性能， CF卡比軟盤、硬盤之類的設備要安全可靠。CF卡的功耗很低，它可以自適應3.3伏和5伏兩種電壓，耗電量大約相當于桌面硬盤的百分之五。這樣的特性是出類拔萃的，CF卡出現之后便成為數碼相機的首選存儲設備。經過多年的發展，CF卡技術已經非常成熟，容量從最初的4MB飆升到如今的3GB，價格也越來越平實，受到各數碼相機制造商的普遍喜愛，CF卡目前在數碼相機存儲卡領域的市場占有率排在第二位。

MMC卡 (MultiMediaCard)
MMC卡是SanDisk公司和德國西門子公司于1997年合作推出的新型存儲卡，它的尺寸只有32mm×24mm×1.4mm、大小同一枚郵票差不多；其重量也多在2克以下，并且具有耐沖擊、可反復讀寫30萬次以上等特點。從本質上看，MMC與CF其實屬于同一技術體系，兩者結構都包括快閃存芯片和控制器芯片，功能也完全一樣，只是MMC卡的尺寸超小，而連接器也必須做在狹小的卡里面，導致生產難度和制造成本都很高、價格較為昂貴。MMC主要應用與移動電話和MP3播放器等體積小的設備。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的FLASH和EEPROM的最大区别的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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