近日一則：「128G的iPhone6/Plus會莫名崩潰，恐導致大規模召回。」的新聞在網上瘋傳，并且引起了不少蘋果用戶的擔心，尤其是那些根據「要買就買頂配」的買買買原則而選擇了128G的iPhone的用戶。不過新聞內容卻引起了筆者的好奇，根據報道內容：

“引起iPhone崩潰的原因竟然是NANDFLASHMEMORY（閃存）模塊中IC控制單元出現故障，并且蘋果為了減少成本使用了低價的NANDTLCFLASHMEMORY而非成本更高、速度更快的NANDMLCFLASHMEMORY。因此當用戶安裝超過700個App時，iPhone便會自己崩潰，更令消費者感到擔憂的是最新的iOS8.1更新中這個問題并未解決，問題是出在硬件上。”

NANDTLC/MLCFLASHMEMORY究竟是什么？

首先FLASHMEMORY作為閃存設備，是手機類設備的重要存儲介質，由日本的東芝公司于1984年發明。在FLASHMEMORY中又分為NORFLASH和NANDFLASH兩種常見的類型，其中NORFLASH屬于第一代產品，第一款商用產品是1988年Intel公司所制造的NORFLASH芯片，不過由于抹寫時間較長，成本較高的原因，NORFLASH很快被NANDFLASH取代。NANDFLASH同樣是有東芝公司發明，在1988年的國際固態電路研討會（ISSCC）所發布。NANDFLASH具有較快的抹寫時間,而且每個存儲單元的面積也較小，這讓NANDFLASH相較于NORFLASH具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時它的可抹除次數也高出NORFLASH十倍。

在FLASH模塊中，數據被存儲在由浮閘晶體管組成的記憶單元數組內，在單階存儲單元（Single-levelcell,SLC）設備中，每個單元只存儲1比特的信息，這簡稱為SLCNANDFLASH，其優點是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長，不過缺點也很明顯：每個存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節需花費較高的成本來生產，因此不利于實際生產。而多階存儲單元（Multi-levelcell,MLC）設備則利用多種電荷值的控制讓每個單元可以存儲2比特以上的數據，其「多階」指的是電荷充電有多個能階（即多個電壓值），如此便能存儲多個比特的值于每個存儲單元中。借由每個存儲單元可存儲更多的比特，MLC閃存可降低生產成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，因此MLC閃存技術會用在標準型的儲存卡中。而這一次被韓國媒體猛烈抨擊的三階儲存單元（Triple-LevelCell,TLC）TLC閃存，它的架構原理與MLC類似，但可以在每個儲存單元內儲存3個信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢，壽命也比SLC和MLC短，大約1000次，但是可以做到大容量和低價格。現在，廠商已不使用TLC這個名字，而是稱其為3-bitMLC。

iPhone中到底用了什么FLASHMEMORY

在韓國媒體的報道中「iPhone不僅使用了成本更低的NANDTLCFLASH，更重要的是在其控制集成電路（IC）出現了故障。」在iPhone內部，這塊IC主要任務是其他電子元器件和NAND之間的調度和控制，保證數據的正常寫入和讀取，平時用戶不管是拍照還是使用應用都離不開它。

那么實際情況是否如韓國媒體報道的那樣？帶著好奇，筆者查閱ifixit的拆機資。根據16G的真機實拆圖顯示，其采用來自韓國的海力士（SKhynix）的NANDFLASH，型號為H2JTDG8UD1BMS。（圖中紅色部分）

這顆NANDFLASH在海力士的技術文檔中被歸為E2NAND3.0，是由SKHynix和Anobit合作開發的，而Anobit早已被蘋果收購，致力于提高閃存的穩定性。雖然海力士并未明確標注H2JTDG8UD1BMS的類型，但是在全球領先的微電子服務網站TechInsights上，H2JTDG8UD1BMS被明確規范為NANDMLCFLASHMEMORY。

因此此次韓國媒體存在著失實情況，iPhone6Plus所使用的就是NANDMLCFLASHMEMORY，而非所謂的廉價NANDTLCFLASHMEMORY。而至于這塊FLASH中的控制IC是否存在問題，目前蘋果官方并未出面解釋，在其他媒體上也未見反映，因此需要進一步確認。

這則新聞的背后

雖然iPhone6Plus中的技術細節已經排查清楚，那么為什么這樣一則不實新聞會出現呢？筆者接著進行了排查。

這則新聞最先出現于韓國媒體BusinessKorea，蹊蹺的是BusinessKorea引援的內容均來自蘋果論壇上的同一個用戶，他在總計159篇的討論帖中都反映了128GiPhone6Plus的自動崩潰問題。

顯然在這個過程中BusinessKorea存在著明顯的缺失，新聞事實明顯不足，證據單一，說服力較低。除此之外，也沒有查明iPhone6Plus的真實元器件，輕易得出了128GiPhone6Plus采用NANDTLCFLASHMEMORY的錯誤結論。

雖然蘋果官方已經表態，不存在128GiPhone6Plus大規模自動崩潰的現象，更不可能大規模召回，但是這則失實新聞對不少蘋果用戶還是造成不小的影響。在筆者的實際使用過程中，iPhone6確實出現過程序崩潰的現象，但是次數十分少見，多為越獄后插件沖突所致，而在日常生活中和媒體上更是從未見過高頻率的崩潰現象，因此各位128G的土豪用戶大可放心，只是各家媒體長點心吧！不要一味了眼球而不負責任的轉載。（文/kimif2009）

總結

以上是生活随笔為你收集整理的iPhone6 Plus召回？深度解析终结流言的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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