目前市面上最常見的三種閃存顆粒分別是SLC、MLC和TLC，它們都代表了閃存顆粒的儲存單元，英文分別是SLC=Single-Level Cell，MLC=Multi-Level Cell，TLC=Trinary-Level Cell，即單層單元，多層單元和三層單元。而這次iPhone6最具爭議的地方就是因?yàn)椴糠峙蔚臋C(jī)型使用了TLC芯片。

三者的區(qū)別也很明顯，存取原理上SLC架構(gòu)是0和1兩個(gè)充電值，即每單元只能存取1bit數(shù)據(jù)，有點(diǎn)兒類似于開關(guān)電路，雖然簡單卻非常穩(wěn)定。MLC架構(gòu)可以一次儲存4個(gè)充電值(00, 01, 10, 11)，因此擁有比較好的存儲密度，TLC能一次性存儲8個(gè)充電值(000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111)。相比SLC閃存每個(gè)存儲單元只能保存1bit數(shù)據(jù)，MLC閃存的存儲單元可保存2bit，TLC則可保存3bit。TLC利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動?xùn)糯鎯?個(gè)bit的信息，存儲密度理論上較之MLC閃存擴(kuò)大了0.5倍，但無論是SLC、MLC、SLC其一個(gè)單元本身的晶體管數(shù)量是相似的，也就是說我們用物理上差不多的東西儲存了更多的信息。

由于工作原理的不同，三種閃存顆粒的壽命也因此有很大的差距。理論上來說SLC壽命最長，其次MLC，TLC壽命最短，只有500到1000次的擦寫，這是一個(gè)不爭的事實(shí)。但這一點(diǎn)卻讓很多網(wǎng)友對此耿耿于懷，是不是意味著我們擦寫個(gè)幾百次這顆閃存就報(bào)廢了呢?當(dāng)然不是，在這一方面，閃存的設(shè)計(jì)壽命是遠(yuǎn)超我們的預(yù)期的。閃存芯片有自己的延壽機(jī)制，當(dāng)有部分閃存區(qū)塊發(fā)生故障時(shí)，就會有原本被屏蔽的區(qū)塊就會代替故障的部分繼續(xù)工作，保證了閃存的持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行。其次，閃存的主控也會平均分?jǐn)偯恳粋€(gè)區(qū)塊的擦寫次數(shù)，讓閃存的整體壽命得以保障。拿同樣采用TLC閃存顆粒的三星的840 EVO舉例，國外有人做過一個(gè)耐用性測試，編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1064次，也就是說250GB的終生數(shù)據(jù)寫入量在270TB左右。同樣的128GB的iPhone6按1000次擦寫壽命來計(jì)算，其壽命在128TB左右，其實(shí)這個(gè)量已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出我們?nèi)粘Ｊ褂玫男枨罅恕?/p>

理論上來說TLC閃存顆粒的性能也是三者中最差的，但事實(shí)卻并沒有這么懸殊，還是以三星840 EVO舉例，其AS SSD的測試成績達(dá)到了914分，甚至還高于采用了MLC閃存顆粒的830，所以就以目前TLC閃存芯片的壽命和性能表現(xiàn)來看，都還在用戶的可接受范圍內(nèi)，并沒有一些媒體黑的那么可怕。

閃存芯片從SLC到MLC再到如今很多廠商力推的TLC，看似是一條很不靠譜的下坡路，但是這些產(chǎn)品正以更加親民的價(jià)格向我們走來。其實(shí)當(dāng)MLC出現(xiàn)的時(shí)候，同樣也是惹來了一堆爭議，壽命不如SLC，速度不如SLC。MLC還不是解決壽命、速度問題得到廣泛的使用。現(xiàn)在TLC來了，歷史再一次重演，但事實(shí)告訴我們TLC是可靠的，并且價(jià)格也更優(yōu)惠。像iPhone那樣的手機(jī)就更沒有必要糾結(jié)用的是哪一類閃存顆粒了，就體驗(yàn)來說，大家平時(shí)根本不會感受到這兩種閃存顆粒的區(qū)別。鋪天蓋地的負(fù)面新聞就像當(dāng)年的陰陽屏一樣，炒作的意義大于實(shí)際，至于事情的背后是誰在操縱，我們就不得而知了。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的SLC、MLC、TLC闪存芯片颗粒特点区别介绍，iPhone6使用TLC芯片的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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