2021年12月29日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅發(fā)布全新消費(fèi)級(jí)旗艦固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPro7000。該產(chǎn)品采用基于Xtacking?（晶棧） 2.0架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代三維閃存芯片，支持PCle Gen4x4接口、NVMe 1.4協(xié)議，順序讀取速度高達(dá)7400MB/s。該產(chǎn)品為電競(jìng)、高端游戲量身定制，同時(shí)滿足多種設(shè)計(jì)應(yīng)用需求，為用戶帶來(lái)高速存儲(chǔ)體驗(yàn)。

?長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布全新消費(fèi)級(jí)旗艦固態(tài)硬盤TiPro7000

長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2020年9月以來(lái)，相繼推出SC001 Active、PC005 Active以及木星10三款產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品一經(jīng)推出就以高性能、高可靠性備受市場(chǎng)推崇。憑借著這三款產(chǎn)品，長(zhǎng)江存儲(chǔ)與廣大消費(fèi)者建立了緊密的聯(lián)結(jié)，直接聆聽消費(fèi)者的反饋和建議。經(jīng)過一年多的打磨，全新旗艦產(chǎn)品TiPro7000應(yīng)運(yùn)而生，同時(shí)品牌升級(jí)為“致態(tài)”。全新“致態(tài)”致力于打造高性能、高品質(zhì)消費(fèi)級(jí)三維閃存系統(tǒng)產(chǎn)品。“態(tài)”是年輕的態(tài)度，是服務(wù)的溫度，也是對(duì)做好固態(tài)品牌初心的堅(jiān)守。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品管理部負(fù)責(zé)人范增緒在發(fā)布會(huì)上表示：“作為三維閃存芯片原廠，我們致力于帶給消費(fèi)者真正的原廠品質(zhì)和極致體驗(yàn)，始終踐行‘用芯書寫記憶，讓世間美好長(zhǎng)存’的使命，通過不斷創(chuàng)新提升產(chǎn)品性能和品質(zhì)以滿足消費(fèi)者的更高需求。此次推出的旗艦產(chǎn)品TiPro7000將以高速度、高性能、高品質(zhì)為消費(fèi)者在電競(jìng)、游戲以及設(shè)計(jì)、視頻制作、學(xué)習(xí)辦公等多元應(yīng)用帶來(lái)全新體驗(yàn)。”?

?TiPro7000

新一代PCle 4.0，順序讀取高達(dá)7400MB/s：TiPro7000采用新一代PCIe Gen4X4接口、NVMe1.4協(xié)議，與上一代PCIe 3.0相比，傳輸速率以及帶寬翻倍增長(zhǎng)。TiPro7000的順序讀取速度可高達(dá)7400MB/s，直擊PCIe 4.0 性能天花板，可大幅提升游戲響應(yīng)、畫面加載速度、場(chǎng)景切換的流暢度、設(shè)計(jì)文件存取速度，大幅減少用戶的等待時(shí)間，充分滿足高階用戶的需求。

可拆卸式散熱器，完美適配PS5：TiPro7000配備可拆卸式散熱器，擁有厚達(dá)5毫米的鋁質(zhì)散熱片，更厚設(shè)計(jì)帶來(lái)更大熱容；活孔設(shè)計(jì)、0.5毫米導(dǎo)熱膠覆蓋全部熱源讓散熱無(wú)憂。經(jīng)測(cè)試顯示，安裝散熱器后設(shè)備溫度最高可降低40度左右，有效保障固態(tài)硬盤的高速穩(wěn)定運(yùn)行。分離式的設(shè)計(jì)方案可滿足主流筆記本、臺(tái)式機(jī)安裝需求；此外組裝后的TiPro7000完美適配PS5。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代三維閃存芯片：采用TLC顆粒，單顆閃存芯片接口速度高達(dá)1600MB/s，寫入壽命持久，2TB高達(dá)1200 TBW。

SLC Cache智能緩存、搭配DRAM設(shè)計(jì)： 配置SLC Cache緩存，加速固態(tài)硬盤讀寫性能，大幅提升開機(jī)、應(yīng)用程序與游戲加載速度。搭配DRAM設(shè)計(jì)、高速存儲(chǔ)FTL閃存映射表，黃金性能組合，設(shè)計(jì)、游戲應(yīng)對(duì)快人一步。

大容量足容設(shè)計(jì)、多選擇更盡興：TiPro7000擁有512GB/1TB/2TB三種容量，滿足不同容量需求，實(shí)現(xiàn)海量游戲存儲(chǔ)可能，讓消費(fèi)者在游戲世界盡興遨游。

Xtacking?（晶棧）2.0，讓閃存潛能再釋放：TiPro7000的強(qiáng)大性能得益于Xtacking?（晶棧）2.0架構(gòu)，其創(chuàng)新技術(shù)可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，使NAND擁有更高的I/O接口速度。

范增緒強(qiáng)調(diào)：“未來(lái)，我們將繼續(xù)對(duì)研發(fā)進(jìn)行更多投入，追求技術(shù)創(chuàng)新，通過不斷推出前沿的旗艦產(chǎn)品，為消費(fèi)者帶來(lái)真正的原廠品質(zhì)和全新體驗(yàn)。” ?
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總結(jié)

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