日本将美光 EUV 晶圆厂补贴增加至 12.9 亿美元
9 月 30 日消息,據(jù)《日經(jīng)新聞》報道,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正在將對美光廣島工廠的補貼從 3.2 億美元增加到 12.9 億美元(備注:當(dāng)前約 94.17 億元人民幣),以加強國內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。對于日本政府來說,這筆款項是更大計劃的一部分,該計劃包括向各種芯片公司投資數(shù)十億日元,旨在增強日本的半導(dǎo)體實力。
從報道獲悉,美光計劃到 2026 年開始使用依賴于極紫外(EUV)光刻的 1γ 工藝(第三代 10 納米級節(jié)點)大批量生產(chǎn)復(fù)雜的存儲芯片,因此該公司需要盡快獲得資金。
日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省為期兩年的 2 萬億日元(133.85 億美元)的龐大預(yù)算明確用于與半導(dǎo)體投資相關(guān)的補貼。其中,臺積電熊本工廠獲得高達 4760 億日元(31.857 億美元)的資金,鎧俠與西數(shù)的合作得到了價值 929 億日元(6.21 美元)的補貼支持。
此次對半導(dǎo)體公司的巨額資金注入凸顯了日本致力于減少對海外芯片供應(yīng)商的依賴并重建國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的承諾。日本旨在通過加強國內(nèi)能力來規(guī)避與國際供應(yīng)鏈中斷相關(guān)的潛在風(fēng)險,從而確保關(guān)鍵技術(shù)部件的平穩(wěn)和強勁的內(nèi)部供應(yīng)。
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總結(jié)
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