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10 月 15 日消息，“英特爾中國”官方公眾號周五晚間宣布，英特爾已于近日開始采用極紫外光刻（EUV）技術大規(guī)模量產(chǎn) Intel 4 制程節(jié)點。官方表示，英特爾正以強大執(zhí)行力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃，并將用于新一代的領先產(chǎn)品。

據(jù)介紹，Intel 4 是英特爾首個采用 EUV 技術生產(chǎn)的制程節(jié)點，在性能、能效和晶體管密度等方面“均實現(xiàn)顯著提升”，EUV 技術將驅(qū)動如 AI、先進移動網(wǎng)絡、自動駕駛及新型數(shù)據(jù)中心和云應用等算力需求最高的應用。

各制程進度具體如下：

• Intel 7 和 Intel 4 已經(jīng)實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，Intel 3 正在按計劃推進，目標 2023 年底量產(chǎn)。

• 采用 RibbonFET 全環(huán)繞柵極晶體管和 PowerVia 背面供電技術的 Intel 20A 和 Intel 18A 同樣“進展順利”，目標是 2024 年。

• 產(chǎn)品代號為 Meteor Lake 的英特爾酷睿 Ultra 處理器今年 12 月 14 日發(fā)布，采用 Intel 4 制程節(jié)點。

• 至強處理器 Sierra Forest 將于明年上半年上市，具備高能效的能效核（E-core），采用 Intel 3 制程節(jié)點

• 至強處理器 Granite Rapids 同樣明年上半年上市，緊隨 Sierra Forest 之后推出，具備高性能的性能核（P-Core）。

此前報道，英特爾曾在 9 月舉辦的 ON 技術創(chuàng)新峰會上介紹了 Intel 4 工藝。

英特爾表示，與 lntel 7 相比，Intel 4 實現(xiàn)了兩倍的面積微縮，帶來了高性能邏輯庫，并引入了多個創(chuàng)新：

• 簡化工藝的 EUV 光刻技術

• lntel 4 針對高性能計算應用進行了優(yōu)化，可支持低電壓（<0.65V）和高電壓（＞1.1V）運行。與 lntel 7 相比，intel 4 的 iso 功率性能提高了 20% 以上。

• 高密度 MIM（金屬-絕緣體-金屬）電容器實現(xiàn)卓越的供電性能

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的英特尔：首次采用 EUV 技术的 Intel 4 制程节点已大规模量产的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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