驅(qū)動電路主要是作用是產(chǎn)生驅(qū)動波形，通過波形去驅(qū)動屏點亮并正常顯示。影響屏放電或者顯示的關(guān)鍵是波形，波形的背后是電路。所以電路的一致性就是驅(qū)動波形的一致性。本質(zhì)就是減少電路參數(shù)變化對屏顯示的不利影響。波形主要參數(shù)如圖一所示：

2.1、影響屏放電效果主要因素如下：

a：VS參數(shù)值

VS是由電源提供，并且設(shè)計電位器實現(xiàn)微調(diào)。

b：預(yù)復(fù)位

預(yù)復(fù)位是由波形設(shè)計添加，通過Y板ramp-dn電路模塊實現(xiàn)。2.5代產(chǎn)品有預(yù)復(fù)位波形，但實際效果不明顯，該部分對模組誤放電影響可忽略。在3代50寸產(chǎn)品已取消預(yù)復(fù)位。

c: Ramp-up拐點及斜率

Ramp-up拐點及斜率是由主復(fù)位在上升期由斜波變成平臺時形成。它要受硬件電路驅(qū)動信號強弱影響，基于前期2.5代生產(chǎn)過程中的數(shù)據(jù)顯示，該部分對模組誤放電的影響較大。拐點明顯/變圓以及斜率的陡緩對屏放電要產(chǎn)生不同影響。

d: 上平臺時間( Ramp-up的△T)

△T時間主要由Ramp-up電路模塊驅(qū)動信號的電壓高低對其控制，在實際電路中設(shè)計有電位器對其微調(diào)，其對屏產(chǎn)生誤放電的影響小。

e: ramp-dn拐點

ramp-dn拐點是下斜波變到下平臺( Flat Time )時形成。其受硬件電路元器件自身參數(shù)影響較大，不同功率器件內(nèi)部參數(shù)細微變化都會導(dǎo)致拐點的不同。2.5代生產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示， ramp-dn拐點對模組誤放電的影響較大。

f:下平臺時間( Flat Time ， △D)

△D時間主要由Ramp-dn電路模塊驅(qū)動信號的電壓高低對其控制，在實際電路中設(shè)計有電位器對其微調(diào)。其受硬件電路元器件自身參數(shù)有一定的影響，不同功率器件內(nèi)部參數(shù)細微變化都會導(dǎo)致主復(fù)位中第一個下斜波△D與第二個下斜波△D的不同。 屏放電對Flat Time時間長短也很敏感。 2.5代生產(chǎn)數(shù)據(jù)顯示， Flat Time對模組的誤放電影響較大。

g: △V

△V值是由ramp-dn電路模塊產(chǎn)生。是通過ramp-dn下平臺電壓與Vsc的電壓差實現(xiàn)的。下平臺電壓對驅(qū)動波形電壓高低和功率器件內(nèi)部參數(shù)的細微變化極為敏感。分壓電阻的參數(shù)變化，半導(dǎo)體器件的管壓降變化和MOS管在放大區(qū)的內(nèi)阻曲線變化都會對△V產(chǎn)生影響。 △V在壁電荷積累有重要作用，所以△V對屏放電影響很大。甚至引起模組降級。

h: Floating Time

其主要受波形程序控制。在波形上可以方便的調(diào)整Floating Time及其電壓跌落值。波形電平可以通過Vxshelf調(diào)節(jié)。

i: Vxshelf

Vxshelf是由純電路硬件電阻分壓和源極跟隨器實現(xiàn)。在實際電路中設(shè)計電位器進行微調(diào)。 Vxshelf在尋址期產(chǎn)生左右，對放電影響較小。

2.2、各波形參數(shù)對屏放電影響及重要性排序

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的参数变化_PDP驱动波形参数分析的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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