共射（共源）：

????????低噪放大器和功率放大器采用的標準拓補結構，這種放大器具有最大的功率增益和低的噪聲特性。另外，這種放大器還具有良好的輸入、輸出阻抗，盡管它們與頻率有關。電路的穩定性和線性度一般，原因在于輸入信號直接注入基極（場效應管不明顯），以及密勒反饋效應（所謂的米勒效應(Miller Effect)，就是真空管極與極之間的電容，真空管的極間電容愈大，高頻響應就愈差，強放管的體積特大，因此極與級之間的距離也比較大）。

????????共射電路的特點可以采用發射極反饋技術來增強，發射極串聯附加阻抗可以改善放大器的線性度，并能對放大器的輸入阻抗實現可控制的調整。電感性的發射極反饋電路的優點：不但在放大器的輸入阻抗中加入了電阻分量，又沒有增加放大器的噪聲。發射極反饋也可形成具有增益平坦效應的負反饋（利用電阻Ze）,并能改善放大器的穩定性。發射極反饋電路的缺點是：1.降低了放大器的增益；2.由于發射極阻抗存在電阻分量，增加了放大器的噪聲；3.降低了放大器的反向隔離度，這可能破壞放大器在高頻端的穩定性。

共基（共柵）：

????? ? 較低的輸入阻抗，極高的輸出阻抗，以及大的工作帶寬（因為不存在密勒效應）。共基極放大器也具有良好的反向隔離，因此穩定性較好，至少在低頻下如此（雖然寄生的反饋效應通常是正反饋，有可能導致不穩定的現象）。共基極放大器的一個重要缺陷是功率增益低，原因在于它的電流增益是1,。另外，基極（或柵極）必須良好接地，因為該端口到地之間很小的串聯阻抗（可能還要包括期間內部的阻抗）就會破會放大器的穩定性。

????????共射放大器的下一級通常是共基極放大器。共基極放大器為共射放大器提供一個低的負載阻抗，這幾乎可消除密勒效應。反向隔離度的明顯改善，有助于提高級聯放大器的穩定性和增益。這種級聯電路在低噪放大器中很常見，級聯放大器可以提高更高的增益，同時對放大器噪聲性能的負面影響也最小。通常，共基極晶體管放大器的電路尺寸也較小，這也有助于減少放大器輸出阻抗的寄生電容分量。

共集（共漏）：（射極跟隨器）

????? ? 低輸出阻抗，高輸入阻抗，以及良好的線性度。射極跟隨器的缺陷是電壓增益是1，即較低的功率增益，以及較差的方向隔離度。共集電極電路通常作為放大器的輸出級，該輸出級能在良好的線性度前提下驅動一個低值的負載阻抗，共集電極電路較差的反向隔離度消弱了其噪聲指標，所以不適合作為低噪聲放大器的第一級。雖然寄生的反饋實際上可以改善共集電極電路的帶寬（相對于共發射極放大器），但它卻具有破壞放大器穩定性的傾向，特別是當放大器的負載為容性時，這種破壞穩定的現象可以用于設計振蕩電路。

下表對各種接法性能一一醉了對比：

總結

以上是生活随笔為你收集整理的MOS和三极管不同接法对应的性能比较的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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