以TF卡CLK為例進行講解。

TF卡CLK接收端（彈片處）測到的波形如下。

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圖1 TF卡CLK接收端波形（彈片處） TF卡CLK通路串0Ω和50Ω，在彈片處測的幅度不變，則TF卡CLK的輸入阻抗是高阻。測試點與TF卡內部DIE之間有一段彈片和TF卡金手指，則感性比較大。測試波形有回勾塌陷，伴有過沖，基本可以斷定是高負載+電感+電容這種情況。使用ADS進行仿真，仿真圖與結果如下。

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圖2 TF卡CLK仿真圖（0Ω）

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圖3 TF卡CLK仿真結果（0Ω） 由上圖可以看出，源端串0Ω，內部DIE有過沖無回勾，彈片處有回勾和過沖，源端有臺階、回勾和過沖。源端的臺階是高阻負載不匹配引起的，測量源端波形如下。

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圖4 TF卡CLK源端波形 源端測到的波形也有類似的臺階，與仿真結果基本一致。 TF卡內部DIE只有過沖，可以在源端串個小電阻，增加源阻抗，減小向微帶線注入的電壓電流，即減弱源端驅動力。這樣就可以減緩對電容的充電速度，防止電容過充而產生過沖。 經過調試，源端串22Ω電阻，效果較好，如下圖。

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圖5 TF卡CLK接收端波形（彈片處）

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圖6 TF卡CLK仿真結果（22Ω） 由上圖彈片處的實測波形和標紅的仿真波形（TF卡內部DIE）可知，過沖基本沒有了。

轉載于:https://www.cnblogs.com/AijunHe/p/6736535.html

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總結

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