11 月 8 日消息，在消費級存儲市場低迷的背景下，高帶寬存儲器（HBM）技術(shù)已成為新的驅(qū)動力，最新報告指出三星和美光兩家公司正積極籌備擴張 HBM DRAM。

最新報道稱三星電子耗資 105 億韓元，收購了三星顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備，以擴大 HBM 產(chǎn)能。三星電子還計劃再投資 7000 億至 1 萬億韓元，用于新建新的封裝線。

此前報道，三星電子副總裁兼 DRAM 產(chǎn)品和技術(shù)團隊負責人 Hwang Sang-jun 先生透露，三星已開發(fā)出速度為 9.8Gbps 的 HBM3E，并計劃開始向客戶提供樣品。

三星正在開發(fā) HBM4，目標是到 2025 年推出。據(jù)悉，三星電子正在積極開發(fā) HBM4 的各種技術(shù)，包括針對高溫熱特性和混合鍵合 （HCB） 優(yōu)化的非導電膠膜 （NCF） 組裝技術(shù)等。

美光也在積極籌備 HBM 生產(chǎn)，于 11 月 6 日在臺中開設了新工廠。美光表示，這個新設施將集成先進的測試和封裝功能，并將致力大規(guī)模生產(chǎn) HBM3E 以及其他產(chǎn)品。此次擴展旨在滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算和云服務等各種應用日益增長的需求。

美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 透露，該公司計劃在 2024 年初開始大量出貨 HBM3E。美光的 HBM3E 技術(shù)目前正在接受 NVIDIA 的認證。最初的 HBM3E 產(chǎn)品將采用 8-Hi 堆棧設計，容量為 24GB，帶寬超過 1.2TB / s。

此外，美光計劃在 2024 年推出更大容量的 36GB 12-Hi 堆棧 HBM3E。在早些時候的一份聲明中，美光曾預計，到 2024 年，新的 HBM 技術(shù)將貢獻“數(shù)億美元”的收入。

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總結(jié)

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