對芯片和半導體有所了解的人一定知道光刻機和刻蝕機，刻蝕機和光刻機并不是兩個對立的產品，而是半導體制造過程中都要使用的兩個重要設備。

光刻機是利用光刻的原理設計的，其工作原理就是通過一系列光源能量、形狀控制手段，將光束透射過畫著線路圖的掩模板，經物鏡補償各種光學誤差，將線路圖成比例縮小后映射到硅片表面上，然后使用化學方法顯影，得到刻在硅片上的電路圖。

光刻機可以分為接近接觸式光刻、直寫式光刻、以及投影式光刻三大類。接近接觸式通過無限靠近，復制掩模板上的圖案；投影式光刻采用投影物鏡，將掩模板上的結構投影到基片表面；而直寫，則將光束聚焦為一點，通過運動工件臺或鏡頭掃描實現任意圖形加工。光學投影式光刻憑借其高效率、無損傷的優點，一直是集成電路主流光刻技術。

光刻機被譽為半導體制造業皇冠上的明珠，其技術含量和價值含量都極高。光刻機涉及系統集成、精密光學、精密運動、精密物料傳輸、高精度微環境控制等多項先進技術，是所有半導體制造設備中技術含量最高的設備，因此也具備極高的單臺價值量，目前世界上最先進的 ASML EUV光刻機單價可達上億歐元，可滿足 5nm 制程芯片的生產。

刻蝕機實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發展；廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

可以說兩者一個是設計者，一個是執行者，整個芯片生產過程中，需要重復使用兩種設備，直至將完整的電路圖蝕刻到硅晶圓上為止。

近日，有媒體報道稱國內半導體巨頭之一中微半導體已成功研制出3nm刻蝕機，并且完成了原型機的設計、制造、測試以及初步的工藝開發和評估，更引人關注的是該刻蝕機已經進入量產階段了。之前我國刻蝕機已經達到5nm刻蝕機并交給臺積電測試使用了。

如果將光刻機和刻蝕機做一個比喻的話，刻蝕機像一個雕工，而光刻機像一個畫工，其中畫要比雕難得多，這也是為什么全球只有一家公司能生產出高端的光刻機。

總結

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