關(guān)于光刻機相信很多人已經(jīng)不再陌生了，我們都知道目前最先進的光刻機當屬荷蘭阿斯麥的5nm制程光刻機，那我國的光刻機發(fā)展進程如何了？好像聽說已經(jīng)突破5nm？其實不然。

關(guān)于“中國5納米光刻機已經(jīng)突破”這則消息起源是去年7月，中科院網(wǎng)站刊登了一則國產(chǎn)5nm光刻技術(shù)獲突破的新聞，中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所張子旸研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在《納米外報》上發(fā)表了一篇研究論文，講述了該團隊開發(fā)的新型5nm超高精度激光光刻加工方法。但隨后這條新聞被刪除。

國家納米科學中心科技管理部主任、中科院研究員，博士生導師劉前解釋，中科院研發(fā)的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，這是集成電路光刻制造中不可缺少一個部分，也是限制最小線寬的瓶頸之一。但即便這一技術(shù)實現(xiàn)商用化，要突破光刻機巨頭荷蘭公司ASML的壟斷，還有很多核心技術(shù)需要突破，例如鏡頭的數(shù)值孔徑、光源的波長等。況且這一技術(shù)目前還在實驗室階段。

按照制程，光刻機工藝可以分為180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm等。根據(jù)外媒報道，在日前的ITF論壇上，與全球光刻機巨頭ASML合作研發(fā)半導體光刻機的比利時半導體研究機構(gòu) IMEC 正式公布，ASML對于3納米、2納米、1.5納米、1納米，甚至是小于1納米的工藝都做了清楚的發(fā)展規(guī)劃。

對于先進光刻機的研發(fā)，上海微電子從不止步，目前上海微電子已經(jīng)實現(xiàn)了90nm制程光刻機的量產(chǎn)。早在去年就有消息稱上海微電子將在今年上半年推出用于生產(chǎn)28nm芯片的光刻機，并將它交由中芯國際測試。

雖然到目前為止，上海微電子也還沒有向市場推出用于生產(chǎn)28nm芯片的光刻機，但據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息透露，其實上海微電子的28nm和14nm光刻機已經(jīng)造出來了，只是在成品率方面還沒有達到預期，還有很大的成長空間，因此該設(shè)備還處于改進階段。這么看來，28nm和14nm光刻機距離面世也不遠了。

由此可知，我國在發(fā)展光刻機的道路上任重道遠，少說也要有十幾年的時間才能有突破新進展，相信未來中國的光刻機不止于5nm，技術(shù)突破了2nm、1nm也不一定。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的中国5纳米光刻机已经突破了吗 5nm光刻机仍在路上的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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