咱們光模塊的硬件設(shè)計(jì)里，有兩個(gè)雷同的問題，很多人在后臺(tái)問過，其實(shí)在寫這些篇章的時(shí)候，陸陸續(xù)續(xù)的都解釋過。今天把兩句話摘出來，單寫

探測(cè)器為何加“反向偏壓”？

電吸收調(diào)制器，為何加“負(fù)電壓”？

這倆問題，合并起來就是一個(gè)問題，

探測(cè)器的結(jié)構(gòu)是PIN，作用是吸收光子，產(chǎn)生電流。咱們看中的是產(chǎn)生的電流量

PIN的I是本征層，可以看做是PN結(jié)的延長(zhǎng)體，把P和N之間拉長(zhǎng)，不是PN結(jié)，而是“P? ? ? ? N”結(jié)，延長(zhǎng)的那些區(qū)域，是讓材料更多的吸收光，產(chǎn)生自由電子。

電吸收調(diào)制器也是個(gè)PIN型，加電壓則吸收光子(順道也產(chǎn)生自由電子)，不加電壓則不吸收。粗淺的理解，電吸收調(diào)制器的吸收態(tài)就是一個(gè)探測(cè)器。

探測(cè)器的反向偏壓，就是N級(jí)接光模塊的3.3V，P級(jí)接GND。結(jié)果就是“N的電壓比P高”

電吸收調(diào)制器的負(fù)電壓，N接GND，P接負(fù)電壓，結(jié)果也是，N的電壓比P高

合并后的問題，就是在吸收光子的狀態(tài)下，為什么PN結(jié)要反向偏置？

一個(gè)P型半導(dǎo)體，和一個(gè)N型半導(dǎo)體，就是PN結(jié)，中間加一層本征層，就是P----N結(jié)，正向偏壓，直接就能導(dǎo)通，(Y2T44 ?半導(dǎo)體材料、P型N型半導(dǎo)體與PN結(jié)，T291 ? 首次動(dòng)圖，PN結(jié)V2.0、p型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體)

所以合在一起，二極管的圖標(biāo)就告訴咱們，它的特點(diǎn)是正向?qū)ǚ聪蚪刂?/p>

有些材料，吸收光的能量，破壞了電子空穴對(duì)的鍵合，材料里就蹦出來自由電子，叫光電效應(yīng)，是電吸收調(diào)制器和接收端探測(cè)器都用到的一個(gè)物理現(xiàn)象。(電吸收調(diào)制器會(huì)更復(fù)雜一些，基本原理沒動(dòng))

對(duì)用了特殊材料的PN結(jié)，能吸收光的能量，產(chǎn)生自由電子。

如果正向?qū)?#xff0c;好么，你自己先產(chǎn)生了一萬億個(gè)流動(dòng)的自由電子們(正向?qū)?，那有光照在PN材料上，也產(chǎn)生了幾顆電子，嗯吶，你要在幾萬億個(gè)自由電子里輸出來新增的幾顆“光生載流子”，呵呵，肯定能檢測(cè)出來，只是檢測(cè)的代價(jià)得多大，請(qǐng)自行估算。

如果反向截止?fàn)顟B(tài)，咱PN結(jié)只有幾顆散兵游勇的自由電子(反向漏電流)，那有光照在PN結(jié)上，還是產(chǎn)生了一些自由電子，好么，點(diǎn)兵點(diǎn)將，就知道有多少是“光”生出來的“載流子”，好計(jì)算。 反向漏電流，在光模塊探測(cè)器行業(yè)，俗稱“暗電流”，沒光&反向偏壓下的漏電流。

所以，為了計(jì)算光生載流子更方便，通常光電二極管用“反向偏壓”。

延伸的一個(gè)問題，一個(gè)光電二極管，我既不用正向偏壓，也不用反向偏壓，能行嗎？

能

那就是太陽能電池的原理

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Y4T58 探測(cè)器

T284 PIN、APD型光電探測(cè)器基本結(jié)構(gòu)

Y4T298 PN結(jié)載流子耗盡型硅基調(diào)制器

Y4T297 光調(diào)制器的載流子耗盡型與注入型的區(qū)別

Y5T6 ?電吸收調(diào)制激光器EML

Y3T113 EAM電吸收調(diào)制器等效模型

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的探测器反向偏压_Y5T60 为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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