咱們光模塊的硬件設計里，有兩個雷同的問題，很多人在后臺問過，其實在寫這些篇章的時候，陸陸續續的都解釋過。今天把兩句話摘出來，單寫

探測器為何加“反向偏壓”？

電吸收調制器，為何加“負電壓”？

這倆問題，合并起來就是一個問題，

探測器的結構是PIN，作用是吸收光子，產生電流。咱們看中的是產生的電流量

PIN的I是本征層，可以看做是PN結的延長體，把P和N之間拉長，不是PN結，而是“P? ? ? ? N”結，延長的那些區域，是讓材料更多的吸收光，產生自由電子。

電吸收調制器也是個PIN型，加電壓則吸收光子(順道也產生自由電子)，不加電壓則不吸收。粗淺的理解，電吸收調制器的吸收態就是一個探測器。

探測器的反向偏壓，就是N級接光模塊的3.3V，P級接GND。結果就是“N的電壓比P高”

電吸收調制器的負電壓，N接GND，P接負電壓，結果也是，N的電壓比P高

合并后的問題，就是在吸收光子的狀態下，為什么PN結要反向偏置？

一個P型半導體，和一個N型半導體，就是PN結，中間加一層本征層，就是P----N結，正向偏壓，直接就能導通，(Y2T44 ?半導體材料、P型N型半導體與PN結，T291 ? 首次動圖，PN結V2.0、p型半導體、n型半導體)

所以合在一起，二極管的圖標就告訴咱們，它的特點是正向導通反向截止

有些材料，吸收光的能量，破壞了電子空穴對的鍵合，材料里就蹦出來自由電子，叫光電效應，是電吸收調制器和接收端探測器都用到的一個物理現象。(電吸收調制器會更復雜一些，基本原理沒動)

對用了特殊材料的PN結，能吸收光的能量，產生自由電子。

如果正向導通，好么，你自己先產生了一萬億個流動的自由電子們(正向導通)，那有光照在PN材料上，也產生了幾顆電子，嗯吶，你要在幾萬億個自由電子里輸出來新增的幾顆“光生載流子”，呵呵，肯定能檢測出來，只是檢測的代價得多大，請自行估算。

如果反向截止狀態，咱PN結只有幾顆散兵游勇的自由電子(反向漏電流)，那有光照在PN結上，還是產生了一些自由電子，好么，點兵點將，就知道有多少是“光”生出來的“載流子”，好計算。 反向漏電流，在光模塊探測器行業，俗稱“暗電流”，沒光&反向偏壓下的漏電流。

所以，為了計算光生載流子更方便，通常光電二極管用“反向偏壓”。

延伸的一個問題，一個光電二極管，我既不用正向偏壓，也不用反向偏壓，能行嗎？

能

那就是太陽能電池的原理

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的探测器反向偏压_Y5T60 为何探测器和电吸收调制器，加反电压，而不是正电压的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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