计算机组成原理 第三章【存储系统】课后作业解析【MOOC答案】
目? ?錄
第1題
第2題
第3題
第4題
第5題
第1題
1
( 26分 )
解釋概念:Cache、主存、輔存、虛存、RAM、SRAM、DRAM、ROM、MROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory(每個2分)。
得分指導(dǎo):
Cache:高速緩沖存儲器,位于CPU內(nèi)部的一塊小容量高速存儲器,用于解決CPU和主存之間速度不匹配問題
主存:主存儲器,用于存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。CPU可以直接進(jìn)行隨機(jī)讀寫,訪問速度較高
輔存:輔助存儲器,用于存放用戶所有的程序和數(shù)據(jù)。CPU不可以直接進(jìn)行讀寫,訪問速度較慢
虛存:虛擬存儲器,輔存上用于模擬主內(nèi)存存放正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)的存儲空間。
RAM:半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲器,信息能夠隨機(jī)讀出和寫入
SRAM:靜態(tài)半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲器,用來做為Cache
DRAM:動態(tài)半導(dǎo)體隨機(jī)存取存儲器,用來做為主存
ROM:只讀存儲器,信息只能讀出不能寫入
MROM:掩膜式半導(dǎo)體只讀存儲器。由芯片制造商在制造時寫入內(nèi)容,以后只能讀出而不能寫入
PROM:可編程只讀存儲器,由用戶根據(jù)需要確定寫入內(nèi)容,只能寫入一次
EPROM:光擦可編程只讀存儲器。擦除依靠紫外線或者X射線照射芯片玻璃窗口通過電荷泄露來實(shí)現(xiàn)
EEPROM:電擦寫可編程只讀存儲器。擦除依靠特定的擦除電壓來實(shí)現(xiàn)
Flash Memory:閃速存儲器。或稱快擦型存儲器。是EEPROM的升級產(chǎn)品
第2題
2
( 14分 )
某機(jī)字長為32位,其存儲容量是64KB,按字編址它的尋址范圍是多少?(4分)按字節(jié)編址它的尋址范圍是多少?(4分)試畫出主存按字地址和按字節(jié)地址的內(nèi)存地址分配圖(6分)。
得分指導(dǎo):
按字編址的尋址范圍就是0000H~3FFFH
按字節(jié)編址的尋址范圍就是0000H~FFFFH
第3題
3
( 20分 )
設(shè)CPU共有16根地址線,8根數(shù)據(jù)線,并用 MREQ(低電平有效)作訪存控制信號, R/W作讀寫命令信號(高電平為讀,低電平為寫)。現(xiàn)有8片8K×8位的RAM芯片與CPU相連,試回答:
(1)用74138(3:8譯碼器)畫出CPU與存儲芯片的連接圖(8分);
(2)寫出每片RAM的地址范圍(8分);
(3)如果運(yùn)行時發(fā)現(xiàn)不論往哪片RAM寫入數(shù)據(jù)后,以A000H為起始地址的存儲芯片都有與其相同的數(shù)據(jù),分析故障原因(4分)。
得分指導(dǎo):
(1)
(2)地址空間分配(每個1分):
? ? ? ? RAM0:0000H——1FFFH
? ? ? ? RAM1:2000H——3FFFH
? ? ? ? RAM2:4000H——5FFFH
? ? ? ? RAM3:6000H——7FFFH
? ? ? ? RAM4:8000H——9FFFH
? ? ? ? RAM5:A000H——BFFFH
? ? ? ? RAM6:C000H——DFFFH
? ? ? ? RAM7:E000H——FFFFH
(3)如果運(yùn)行時發(fā)現(xiàn)不論往哪片RAM寫入數(shù)據(jù)后,以A000H為起始地址的存儲芯片(RAM5)都有與其相同的數(shù)據(jù),則根本的故障原因?yàn)?#xff1a;RAM5存儲芯片的片選輸入端很可能總是處于低電平。假設(shè)芯片與譯碼器本身都是好的,可能的情況有:
1)RAM5的CS端與MREQ端錯連或短路;
2)RAM5的CS端與地線錯連或短路。
第4題
4
( 20分 )
設(shè)主存按字編址,容量為256K字,Cache容量為2K字,塊長為4個字(每個5分)。
(1)設(shè)計Cache地址格式。
(2)在直接映射方式下,設(shè)計主存地址格式。
(3)在四路組相聯(lián)映射方式下,設(shè)計主存地址格式。
(4)在全相聯(lián)映射方式下,設(shè)計主存地址格式。
得分指導(dǎo):
第5題
5
( 20分 )
設(shè)主存和Cache均按字節(jié)編址,主存容量為1MB,采用直接映射方式的Cache容量為16KB,塊長為4,每字32位。試問主存地址為ABCDEH的存儲單元在Cache中的什么位置?
得分指導(dǎo):
總結(jié)
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