電容串聯后容量是減小了，但是這樣可以增加他的耐壓值。計算公式是：C1*C2/(C1+C2)

電容并聯后容量是增大了，并聯耐壓數值按最小的計算。計算公式是：C1+C2

串聯分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此

并聯分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過的電流越大，當然，這是交流條件下

電容的串并聯容量公式-電容器的串并聯分壓公式

1.串聯公式：C = C1*C2/(C1 + C2)

2.并聯公式C = C1+C2+C3

補充部分：

串聯分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此 。

并聯分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過的電流越大，當然，這是交流條件下。

一個大的電容上并聯一個小電容

大電容由于容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導致了大電容的分布電感比較大(也叫等效串聯電感，英文簡稱ESL)。

電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容量小，因此體積可以做得很小(縮短了引線，就減小了ESL，因為一段導線也可以看成是一個電感的)，而且常使用平板電容的結構，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對低頻信號的阻抗大。

所以，如果我們為了讓低頻、高頻信號都可以很好的通過，就采用一個大電容再并上一個小電容的方式。

常使用的小電容為 0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行)，當頻率更高時，還可并聯更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數字電路中，一般要給每個芯片的電源引腳上并聯一個0.1uF的電容到地(這個電容叫做退耦電容，當然也可以理解為電源濾波電容,越靠近芯片越好)，因為在這些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容濾波就可以了。

理想的電容，其阻抗隨頻率升高而變小(R＝1/jwc), 但理想的電容是不存在的，由于電容引腳的分布電感效應， 在高頻段電容不再是一個單純的電容，更應該把它看成一個電容和電感的串聯高頻等效電路，當頻率高于其諧振頻率時， 阻抗表現出隨頻率升高而升高的特性，就是電感特性，這時電容就好比一個電感了。相反電感也有同樣的特性。

大電容并聯小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在于電容的自諧振特性。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號，小電容濾高頻(自諧振頻率高)，大電容濾低頻(自諧振頻率低)，兩者互為補充。

電容的并聯

電容并聯電路：

由電容的伏安特性與KCL可知：兩電容并聯的等效電容等于兩電容之和， 即：

公式推導

由電容元件的伏安特性可得：

∵

∴

兩電容并聯的等效電容等于兩電容之和。

電容并聯電路的分流關系

流過兩個相并聯電容上的電流與電容的容量成正比，電容越大，分得的電流越大。

公式推導

∵

由于并聯電容兩端的電壓相同，

∴

即

多個電容并聯時的情況，以上結論可推廣到如圖n個電容相并聯時的情況：

總結

以上是生活随笔為你收集整理的并联系统的失效率公式推导_电容的串并联计算方法的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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