電容串聯(lián)后容量是減小了，但是這樣可以增加他的耐壓值。計(jì)算公式是：C1*C2/(C1+C2)

電容并聯(lián)后容量是增大了，并聯(lián)耐壓數(shù)值按最小的計(jì)算。計(jì)算公式是：C1+C2

串聯(lián)分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此

并聯(lián)分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過的電流越大，當(dāng)然，這是交流條件下

電容的串并聯(lián)容量公式-電容器的串并聯(lián)分壓公式

1.串聯(lián)公式：C = C1*C2/(C1 + C2)

2.并聯(lián)公式C = C1+C2+C3

補(bǔ)充部分：

串聯(lián)分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........電容越大分得電壓越小，交流直流條件下均如此 。

并聯(lián)分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........電容越大通過的電流越大，當(dāng)然，這是交流條件下。

一個(gè)大的電容上并聯(lián)一個(gè)小電容

大電容由于容量大，所以體積一般也比較大，且通常使用多層卷繞的方式制作，這就導(dǎo)致了大電容的分布電感比較大(也叫等效串聯(lián)電感，英文簡稱ESL)。

電感對高頻信號的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反，由于容量小，因此體積可以做得很小(縮短了引線，就減小了ESL，因?yàn)橐欢螌?dǎo)線也可以看成是一個(gè)電感的)，而且常使用平板電容的結(jié)構(gòu)，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能，但由于容量小的緣故，對低頻信號的阻抗大。

所以，如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號都可以很好的通過，就采用一個(gè)大電容再并上一個(gè)小電容的方式。

常使用的小電容為 0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行)，當(dāng)頻率更高時(shí)，還可并聯(lián)更小的電容，例如幾pF，幾百pF的。而在數(shù)字電路中，一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的電容到地(這個(gè)電容叫做退耦電容，當(dāng)然也可以理解為電源濾波電容,越靠近芯片越好)，因?yàn)樵谶@些地方的信號主要是高頻信號，使用較小的電容濾波就可以了。

理想的電容，其阻抗隨頻率升高而變小(R＝1/jwc), 但理想的電容是不存在的，由于電容引腳的分布電感效應(yīng)， 在高頻段電容不再是一個(gè)單純的電容，更應(yīng)該把它看成一個(gè)電容和電感的串聯(lián)高頻等效電路，當(dāng)頻率高于其諧振頻率時(shí)， 阻抗表現(xiàn)出隨頻率升高而升高的特性，就是電感特性，這時(shí)電容就好比一個(gè)電感了。相反電感也有同樣的特性。

大電容并聯(lián)小電容在電源濾波中非常廣泛的用到，根本原因就在于電容的自諧振特性。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號，小電容濾高頻(自諧振頻率高)，大電容濾低頻(自諧振頻率低)，兩者互為補(bǔ)充。

電容的并聯(lián)

電容并聯(lián)電路：

由電容的伏安特性與KCL可知：兩電容并聯(lián)的等效電容等于兩電容之和， 即：

公式推導(dǎo)

由電容元件的伏安特性可得：

∵

∴

兩電容并聯(lián)的等效電容等于兩電容之和。

電容并聯(lián)電路的分流關(guān)系

流過兩個(gè)相并聯(lián)電容上的電流與電容的容量成正比，電容越大，分得的電流越大。

公式推導(dǎo)

∵

由于并聯(lián)電容兩端的電壓相同，

∴

即

多個(gè)電容并聯(lián)時(shí)的情況，以上結(jié)論可推廣到如圖n個(gè)電容相并聯(lián)時(shí)的情況：

總結(jié)

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